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　　事實上，《EE Times》早在2006年便對這家默默無聞的公司進行過報道。另外，4DS、Qs Semiconductor與Adesto Technologies等公司同樣在今年取得了不小的進步。我們還看到許多較大規模的IDM廠商也在加大對電阻式內存(RRAM)方面的投入。值得一提的還有憶阻器技術的發展，因為在電阻特性方面展現出存儲效應的兩個終端設備，是對惠普實驗室倡導的憶阻器理論基礎的實踐應用。憶阻器常常被認為是繼電阻器、電容器和電感器之后的第四個無源電器元件。
　　9.直通硅晶穿孔
　　先進硅芯片表面最上方的互連堆疊(interconnect stack)很深，而且會隨最低幾何限度有顯著的差異。我們一直認為這可能會導致芯片前段(front-end)制造分成不同表面和互連(緊隨更高的互連堆疊)，甚至可能在不同的芯片制造商存在。出于市場營銷和技術方面的原因，這種將多裸晶(multiple die)堆疊在一個包裝內的渴望還需要更復雜的互連；而直通硅晶穿孔技術(through-silicon-vi)能完全穿透硅晶片或裸晶，是制造3D包裝的關鍵。2009年5月，Austriamicrosystems公司開始在工廠生產TSV組件，客戶群體是將CMOS集成電路與傳感器組件等進行3D整合的廠商。這樣的組件在2010年估計會有更多。
　　10.花樣翻新的電池技術
　　我們現在已經完全適應了摩爾定律和微電子產品小型化的趨勢，于是很容易對任何性能無法每隔兩年就大大增強的技術倍感失望。但是，電池技術已相對成熟，不像集成電路一樣受同一力量的驅動。事實上，如果能量存儲過于密集，會變成十分危險的事情。盡管如此，我們越來越依賴于電池去儲存能量，為各種各樣的電子裝置供電。毋庸置疑，如果電子技術不能進一步取得突破，環保的電動車注定不會再有未來，汽車和可持續發展環保技術的結合也是一句空話。
　　我們面臨的壓力可想而知。近年來，以鎳和鋰為原料(如鋰鐵磷酸鹽)的電池研究取得了一定進展，有望取代值得尊敬但問題多多的堿性錳干電池。從事可充電式鋅空氣(zinc-air)電池開發的公司ReVolt已將俄勒岡州波特蘭市作為其在美國的總部和生產基地。我們估計在2010年會有更多具備智能功能的電池問世，為開發能量可控的集成電路提供機遇。