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   3æœ?9日，材料领域国际™å¶çñ”期刊《自ç„?middot;材料》，发表复旦大学修发贤团队最新研½I¶è®ºæ–‡ï¼Œã€Šå¤–ž®”半金属砷化铌纳¾c›_¸¦ä¸­çš„­‘…高ç”?sh¨´)导率》，制备å‡ÞZºŒ¾l´ä½“¾pÖM¸­å…ähœ‰ç›®å‰å·²çŸ¥æœ€é«˜å¯¼ç”늎‡çš„外ž®”半金属材料-砷化铌纳¾c›_¸¦ã€?/span>

  导电(sh¨´)材料是电(sh¨´)子工业的基础åQŒçŽ°åœ¨æœ€ä¸»è¦çš„材料是铜，已大规模用于晶体½Ž¡çš„互连导线。信息时代，计算机和æ™ø™ƒ½è®‘Ö¤‡ä½“积­‘Šæ¥­‘Šå°åQŒä¿¡å·ä¼ è¾“量爆炸式增长，芯片中上千万¾l†å¦‚发丝的晶体管互连导线“运送压力”随之加大。而当铜变得很薄，˜q›å…¥äºŒç»´ž®ºåº¦æ—Óž¼Œç”?sh¨´)阻变大åQŒå¯¼ç”‰|€§è¿…速变差，功耗大òq…度增加。这也是制约芯片½{‰é›†æˆç”µ(sh¨´)路技术进一步发展的重要瓉™¢ˆã€‚修发贤团队新研制的砷化铌纳¾c›_¸¦ææ–™åQŒç”µ(sh¨´)导率是铜薄膜的一癑րï¼ŒçŸ›_¢¨çƒ¯çš„一千倍ã€?/span>

  复旦大学物理学系教授 修发贤：我们利用了氯化铌åQŒåˆ©ç”¨äº†ç ¯‚¿˜æœ‰æ°¢æ°”三¿Uå…ƒç´ æŠŠå®ƒä»¬æ”‘Öœ¨ä¸€èµ¯‚¿›è¡ŒåŒ–学反应来制备˜q™ç§ç ·åŒ–铌纳¾c›_¸¦åQŒè¿™¿Uææ–™å®ƒè¡¨é¢æœ‰ä¸€ä¸ªè¡¨é¢æ€ï¼Œ˜q™ä¸ªè¡¨é¢æ€å°±å…è®¸ç”?sh¨´)子在上面快速地通行åQŒå¯ä»¥è¯´æ˜¯æˆ‘们创造了一个绿色的通道åQŒè¿™æ ïLš„话，在低¾l´å°ºåº¦ä¸‹åQŒå°±å¯ä»¥è®©ç”µ(sh¨´)子快速通过而降低能耗ã€?/span>

  同时åQŒåŒºåˆ«äºŽ­‘…导材料只能在零下几十度­‘…低温下应用åQŒæ–°ææ–™ç ·åŒ–铌的高电(sh¨´)导机制即使在室温下仍然有效。这一发现也äؓ材料¿U‘å­¦å¯ÀL‰¾é«˜æ€§èƒ½å¯ég½“提供了一个可行思èµ\åQŒåœ¨é™ä½Žç”?sh¨´)子器äšg能耗等斚w¢æœ‰é‡å¤§ä­h(hu¨¢n)倹{€?/span>

  复旦大学物理学系教授 修发贤：我们的手机发热、电(sh¨´)脑发热是有两个原因，晶体½Ž¡æœ¬íw«çš„发热和电(sh¨´)‹¹æµ¾lè¿™äº?互连)导线所产生的导¾U¿å‘热，那我们现在要解决的问题就是导¾U¿çš„发热åQŒæˆ‘们的˜q™ä¸ªææ–™ž®±å¯ä»¥åœ¨˜q™ä¸€æ–šw¢æœ‰æ‰€ç”¨é€”ã€?/span>