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室溫鐵磁性GaN:Cr薄膜的性質研究  
室溫鐵磁性GaN:Cr薄膜的性質研究
資料類型: PDF文件
關鍵詞: 氮化鎵  磁性半導體  鐵磁性轉變溫度  
資料大小: 137K
所屬學科: 性能表征
來源: 來源網絡
簡介:
采用高能離子注入的方式,在GaN襯底中摻雜引入Cr離子制備了磁性半導體。借助于X射線衍射儀(XRD)進行了注入前后結構的對比分析,沒有發現新的衍射峰,并運用高分辨率X射線衍射儀(HR-XRD)分析了Mn離子注入后襯底(0002)峰的微小變化。根據原子力顯微鏡的結果,發現注入后的樣品表面起伏比較大,發生明顯的變化。通過使用超導量子干涉儀SQUID進行變溫分析,在所分析的10~300K范圍內,磁化強度變化幅度較小,樣品在室溫條件下仍然保持鐵磁性。
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上傳時間: 2007-07-13 13:54:39
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