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> Bi2Te3與SnBi2Te4的電子結(jié)構(gòu)與熱電性能研究
Bi2Te3與SnBi2Te4的電子結(jié)構(gòu)與熱電性能研究
Bi2Te3與SnBi2Te4的電子結(jié)構(gòu)與熱電性能研究
資料類型:
PDF文件
關(guān)鍵詞:
碲化鉍
摻雜
電子結(jié)構(gòu)
熱電性能
資料大小:
221K
所屬學科:
結(jié)構(gòu)表征
來源:
來源網(wǎng)絡(luò)
簡介:
用離散變分密度泛函分子軌道方法(DFT-DVM)和線性擴展平面波能帶方法(LAPW)計算了Bi2Te3與SnBi2Te4,討論了電子結(jié)構(gòu)與熱電性能之間的關(guān)系。Te(II)-Bi離子鍵強度和Te(I)-Bi差別不大,而Te(II)-Bi共價鍵比Te(I)-Bi強。Te(I)-Te(I)原子層之間的主要相互作用是范得華力而最弱。Bi2Te3摻Sn后Te-Bi離子鍵增強而共價鍵減弱,且費米能級處帶隙變小。Sn主要影響導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)。
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2007-07-13 14:29:16
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seaskyspace
2013-11-05 9:00:39
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