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溫度及溫度梯度對SiC單晶生長的影響 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
SiC單晶 溫度及溫度梯度 生長速率 多型 擴徑生長 |
| 資料大小： |
142K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
來源網絡 |
| 簡介： |
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利用升華法在高溫低壓下生長大直徑SiC單晶。通過實驗發現：在相同的軸向溫度梯度下，SiC晶體平均生長速率隨籽晶溫度的升高而變大。通過減小軸向溫度梯度，降低晶體生長界面的徑向過飽和度分布，可以抑制多型的生長。通過優化溫場的徑向溫度梯度，利用φ50mm的籽晶進行生長，得到了φ57mm的SiC單晶，實現了晶體的擴徑生長。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-09 11:41:34 |
| 下載次數： |
589 |
| 消耗積分： |
2
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| hustlb 2009-03-23 9:59:53 |
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