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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
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570K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
第十三屆全國應用化學會議論文集（2013.8.23~26，長春） |
| 簡介： |
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從上世紀70年代的10μｍ制程技術(shù)開始到2012年英特爾量產(chǎn)22nmIvyBridge處理器，在過去的半個世紀里半導體產(chǎn)業(yè)給人類生活帶來了翻天覆地的變化。眾所周知，半導體行業(yè)采用光刻法來制造處理器。現(xiàn)今業(yè)界采用的光刻光源是193nm紫外光，一次曝光只能制備節(jié)距不小于80納米的結(jié)構(gòu)，想要制造更細微的納米結(jié)構(gòu)，必須采用液浸曝光技術(shù)兩次或多次曝光[1]。迄今為止，業(yè)界仍未確定制備16nm或者更小的動態(tài)隨機存儲器或微處理器單元半節(jié)距(DRAMorMPUl/2pitch)的光學方案。但是，美國半導體研究聯(lián)盟遴選出潛在的可用于制備16和IInmMPU/DRAM的六種備選技術(shù)，其中包括“DSA+litho”，即嵌段共聚物的引導組裝... |
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| 作者： |
季生象
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| 上傳時間： |
2013-10-28 14:57:04 |
| 下載次數(shù)： |
2 |
| 消耗積分： |
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