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旋轉(zhuǎn)Y切測定La3Ga5SiO14晶體的壓電性能及分析

資料類型：

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關(guān)鍵詞：

LGS晶體旋轉(zhuǎn)Y切壓電常數(shù)

資料大小：

160K

所屬學科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應用學術(shù)會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

通過選擇合適的晶體切型利用諧振法只測量（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片的相關(guān)參數(shù)就得到了La3Ga5SiO14晶體較為準確的壓電參數(shù)。其中La3Ga5SiO14晶體的d11和d14分別為5.5910-12C/N和-5.0110-12C/N。（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片具有較大的機電耦合系數(shù)k26/≈13%和較大的機械品質(zhì)因數(shù)Qm≈10000。

作者：

趙明磊王增梅袁多榮王矜奉王春雷王淵旭王曉穎

上傳時間：

2007-07-12 15:43:24

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