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電參數(shù)對(duì)鎂基復(fù)合材料微弧氧化膜層的影響

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關(guān)鍵詞：

微弧氧化鎂基復(fù)合材料電參數(shù) 耐蝕性

資料大小：

3236K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2008年第十五屆全國(guó)復(fù)合材料學(xué)術(shù)會(huì)議(7.24-7.26，哈爾濱)

簡(jiǎn)介：

本文對(duì)SiCp/AZ91鎂基復(fù)合材料進(jìn)行微弧氧化處理，研究了電流、電壓、頻率、占空比等電參數(shù)對(duì)膜層的顯微結(jié)構(gòu)和耐蝕性能的影響規(guī)律。試驗(yàn)結(jié)果表明：微弧氧化處理過(guò)程中，當(dāng)電壓、電流和占空比增大時(shí)，膜層的微孔數(shù)量減少，孔徑增大；而當(dāng)頻率增大時(shí)，膜層表面微孔更均勻細(xì)小。通過(guò)微弧氧化形成陶瓷膜層后，鎂基復(fù)合材料的耐蝕性能得到顯著改善。隨著能量密度的增加，鎂基復(fù)合材料的微弧氧化膜層的耐蝕性能逐漸增加，但超過(guò)一定限度后，微弧氧化膜表面出現(xiàn)微裂紋，耐蝕性能又有所降低。

作者：

黃文現(xiàn) 吳昆鄧?yán)だ? 鄭明毅

上傳時(shí)間：

2008-12-16 17:16:01

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peter007007 2009-11-12 12:18:40

very good

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