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電化學(xué)刻蝕方法制備半導(dǎo)體材料納米陣列

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關(guān)鍵詞：

電化學(xué)刻蝕多孔InP 多孔硅 SEM

資料大小：

234K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2004年第五屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡(jiǎn)介：

電化學(xué)刻蝕方法是一種非常簡(jiǎn)單實(shí)用的制備規(guī)則納米陣列結(jié)構(gòu)的方法。本文簡(jiǎn)述了用電化學(xué)刻蝕方法制備InP以及Si規(guī)則納米陣列的方法。SEM圖像給出了這些規(guī)則納米陣列的結(jié)構(gòu)。

作者：

李國(guó)慶劉愛(ài)民潘萌杜曉書(shū) 郭凡

上傳時(shí)間：

2007-07-13 14:36:08

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