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具有高導熱性和低介電常數的烷基化改性氮化硼納米片/聚酰亞胺復合膜
writer:Ke Zhao, Yingbo Chen*, Siyu Wei, Meng Wang
keywords:Hexagonal boron nitride Polyimide Dielectric Thermal conductivity
source:期刊
specific source:Ceramic International
Issue time:2023年

由于最新微電子器件的快速發展,兼具高熱導率和低介電常數的聚合物復合材料引起了研究者的興趣。然而,平衡上述參數是一個巨大的挑戰。在這項工作中,六方氮化硼(h-BN)粉末超聲剝離獲得烷基化氮化硼納米片(烷基-BNNS)。然后,用不同量的烷基BNNS合成了一系列聚酰亞胺(PI)復合材料。由于烷基-BNNS與聚合物鏈之間更強的界面非共價相互作用抑制了界面極化,烷基-BNNS可以很好地分散在PI基底中。因此,所獲得的PI復合材料在20重量%的負載下表現出6.21 W/(mK)的高熱導率和3.23的低介電常數。此外,烷基-BNNS/PI復合材料具有高效的熱管理能力、低吸水率、良好的電阻和突出的拉伸強度。重要的是,這些復合膜有望成為微電子領域的優秀候選材料。


https://authors.elsevier.com/a/1hU-G%7E2-FBP8E