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基于短暫性構(gòu)架的高電導(dǎo)率石墨烯薄膜的制備方法
inventor/creator：陳國華；劉飛翔；邱欣斌；董菁；陳丹青；黃劍華
Paten number/application number：ZL201710311702.5
application/authorized announcemen date：2020-7-10
brief introduction：基于短暫性構(gòu)架的高電導(dǎo)率石墨烯薄膜的制備方法