課題組擁有RTS-8型四探針測試儀，該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國A.S.T.M標準而設計，是用于測試半導體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。測試范圍寬（電阻率：10-5～105 Ω·cm，方塊電阻：10-4～106 Ω/口，電導率：10-5～105 s/cm，電阻：10-5～105 Ω），精度高（±0.1%），可用于棒材電阻率、薄圓片電阻率、薄層方塊電阻、反型外延層方塊電阻、離子注入層方塊電阻等的測定。
