作者：鐘洨, 孟旭東, 張睿涵, 張一坤, 顧軍渭*
關(guān)鍵字：納米BN，硅橡膠，導(dǎo)熱
論文來(lái)源：期刊
具體來(lái)源：復(fù)合材料學(xué)報(bào)
發(fā)表時(shí)間：2019年
以甲基乙烯基硅橡膠（MVSR）為基體,硅烷偶聯(lián)劑KH550與聚倍半硅氧烷（POSS）結(jié)合改性的納米BN（POSS-g-nBN）為導(dǎo)熱填料,經(jīng)混煉-熱壓制備POSS-g-nBN/MVSR導(dǎo)熱復(fù)合材料。結(jié)果表明,POSS-g-nBN/MVSR導(dǎo)熱復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)（λ）、介電常數(shù)（ε）和介電損耗正切值（tanδ）均隨nBN用量增加而增大。相同nBN用量下,表面功能化改性有助于進(jìn)一步提高nBN/MVSR導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ,降低ε和tanδ。當(dāng)POSS-g-nBN用量為30vol%時(shí),POSS-g-nBN/MVSR導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ為0.92 W(m·K)-1,約為純MVSR的(λ=0.18W(m·K)-1)5倍,也高于相同nBN用量的nBN/MVSR導(dǎo)熱復(fù)合材料的λ(0.77W(m·K)-1）。相比未改性nBN,POSS-g-nBN更易在MVSR基體內(nèi)形成導(dǎo)熱通路且和MVSR基體具有相對(duì)更低的界面熱障。當(dāng)POSS-g-nBN用量為30 vol%時(shí),POSS-g-nBN/MVSR導(dǎo)熱復(fù)合材料的ε和tanδ分別為3.39和0.0049,略低于相同nBN用量的nBN/MVSR導(dǎo)熱復(fù)合材料的ε (3.43)和tanδ (0.0057)。