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構建異質結是改善半導體光催化劑催化活性的有效手段，兩組分間大接觸面多相界面的形成對于促進光生載流子分離與傳導具有重要作用。本研究針對硫化銻（Sb₂S₃）半導體納米棒（NRs）大尺寸結構光生電子-空穴對易重組而影響光催化活性的問題，開發了一種陽離子置換策略，無需引入硫源，基于Sb-S鍵與Cd-S鍵鍵能差異，于高溫高壓條件下在Sb₂S₃ NRs表面實現了Sb-S鍵斷裂和Cd-S鍵形成，構建了具有大接觸面的Sb₂S₃@CdS核殼納米棒光催化劑。由于Sb-S-Cd鍵合作用和范德華力作用顯著增強了Sb₂S₃/CdS多相界面在整個Sb₂S₃ NRs表面的穩定性和協同性，極大地促進了自Sb₂S₃（核）向CdS（殼）的電子轉移，使Sb₂S₃@CdS催化劑表現出高度增強的模擬日光驅Cr(VI)還原和絡合態Cr(III)的破絡能力，實現了有效的實際含鉻廢水處理。本研究很好地解決了在處理含鉻廢水中難以同步還原Cr(VI)并對絡合態Cr(III)進行破絡處理的技術難題。