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Nano Lett--螺旋拓撲正電荷通道
來源:董澤元教授個人網站 發布日期:2020-10-15

單分子通道的結構與性質研究是認識分子尺度物質傳輸基本規律的核心手段。我們利用螺旋拓撲結構發展了通道內多個正電荷分布的螺旋高分子通道,研究發現這類通道具有獨特的物質傳輸選擇性,具體來說,正電荷通道對堿金屬陽離子幾乎沒有傳輸能力,而對陰離子展現出尺寸依賴的傳輸選擇性。我們認為靜電作用主導了這些性質的出現。研究結果對認識正電荷在通道內的作用提供了重要信息。研究工作發表在Nano Letters 2020, 20, 3627-3632。感謝國家自然科學基金(21722403、21574054)等對本工作的資助。

研究論文請查閱:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.0c00567


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