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類吡啶分子系統(tǒng)對貴金屬薄膜的納米制造基礎(chǔ)研究
來源:楊鵬博士個人網(wǎng)站 發(fā)布日期:2016-03-27
項目類別:國家自然科學(xué)基金青年基金項目
項目編號:51303100
項目規(guī)模:25萬RMB
參與人員:全體研究生
起止日期:2014/01-2016/12
微納米制造產(chǎn)出了超過 260 億美元的集成電路產(chǎn)品。提高分辨率和降低成本一 直是微納米制造領(lǐng)域的追求目標,而傳統(tǒng)光刻蝕策略已經(jīng)不能滿足超精細刻蝕技術(shù)如亞 10 納米刻蝕水平的要求。本研究旨在揭示新發(fā)現(xiàn)的核酸催化金刻蝕規(guī)律的基礎(chǔ)上,研究和開發(fā) 本質(zhì)上不同于光刻蝕的納米制造新技術(shù),從而解決納米制造過程中的關(guān)鍵核心難題。本研究 首先探索在弱氧化環(huán)境下,吡啶基元與貴金屬離子之間的配位過程,研究該配位產(chǎn)物對于貴 金屬氧化還原電位的影響,最終在揭示吡啶催化的氧化刻蝕機理之上,逐步建立一整套利用 含類吡啶基元結(jié)構(gòu)的大分子(生物大分子如 DNA 和合成高分子如聚乙烯基吡啶)來實現(xiàn)貴金 屬材料微納米尺度刻蝕的科學(xué)方法。該方法過程簡單,不使用對環(huán)境污染嚴重的液、氣體以 及高溫、高腐蝕性條件;力爭實現(xiàn)單分子水平刻蝕,從而滿足亞 10 納米刻蝕要求。本課題 將開拓新的研究領(lǐng)域,并刺激新一代亞 10 納米刻蝕方法發(fā)展以適應(yīng)未來電子和半導(dǎo)體工業(yè) 的需要。
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