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廣西大學(xué)王雙飛院士團(tuán)隊(duì)【Nano Letters】:高深陷阱密度實(shí)現(xiàn)高效輸出和穩(wěn)定的摩擦電材料

1、研究背景

鑒于日益增強(qiáng)的環(huán)保意識(shí)與科技的進(jìn)步,可持續(xù)材料在新能源、生物醫(yī)學(xué)材料及可穿戴設(shè)備領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。紙張因其卓越的生物降解性和低廉的成本而備受矚目。自2012年摩擦電納米發(fā)電機(jī) (TENGs) 問世以來,其獨(dú)特的發(fā)電方式與紙張材料高度契合,推動(dòng)了紙基摩擦電材料的顯著發(fā)展。然而,這類材料本身缺乏高效的電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu),導(dǎo)致電荷在摩擦層表面累積時(shí)易發(fā)生泄漏或耗散。


2、文章概述

近日,王雙飛院士團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種具有深層陷阱的紙基摩擦電材料,實(shí)現(xiàn)了高效的電荷存儲(chǔ)。與純纖維素紙相比,該材料的深層陷阱密度提高了約54倍。基于該材料的TENG峰值輸出功率密度比純纖維素紙基TENG高出約45倍,20,000次循環(huán)后仍能維持約136 V的穩(wěn)定電壓。該成果以"Efficient Output and Stability Triboelectric Materials Enabled by High Deep Trap Density"為題發(fā)表在《Nano Letters》期刊上。2022級(jí)碩士研究生張雅琪為本文第一作者,段青山博士和梁東武副研究員為通訊作者,何娟霞博士、高宇教授、許貝、栗劍鋒、劉坤博士、聶雙喜教授參與研究。


3、文章導(dǎo)讀

3.1.紙基摩擦電材料中深層陷阱的構(gòu)筑策略

本研究通過氫鍵組裝策略(HBA)開發(fā)了一種利用深層陷阱實(shí)現(xiàn)高效電荷儲(chǔ)存的紙基摩擦電材料。首先,SiO2與纖維素濾紙通過氫鍵相互作用形成穩(wěn)定的基底。然后,Ti3C2Tx薄片沿平面方向排列在SiO2納米顆粒上。Ti3C2Tx的高效電子傳遞效應(yīng)有利于電荷的有效傳輸。SiO2通過懸掛鍵/不飽和鍵或不飽和氧化作用誘導(dǎo)表面缺陷,促進(jìn)生成使載流子得以駐留的深層陷阱,進(jìn)而對(duì)Ti3C2Tx傳輸?shù)讲牧蟽?nèi)部的摩擦電荷進(jìn)行高效捕獲。

3.2.驗(yàn)證SiO2引入的結(jié)構(gòu)陷阱

通過TS-CFP的FTIR可發(fā)現(xiàn)自組裝系統(tǒng)內(nèi)部存在大量氫鍵。SiO2引入的結(jié)構(gòu)陷阱導(dǎo)致纖維素內(nèi)部發(fā)生電荷重組,改變晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)應(yīng)力,引起晶格收縮、晶面間距減小,增加衍射角;同時(shí),破壞纖維素分子之間的有序排列,降低其結(jié)晶度。另外,陷阱改變了局部應(yīng)力和電荷分布使得Raman光譜中相關(guān)特征峰藍(lán)移;陷阱引起的散射光子能量分布的擴(kuò)大導(dǎo)致150~400 cm?1處特征峰的展寬,且陷阱導(dǎo)致的鍵合能波動(dòng)導(dǎo)致了XPS新峰的出現(xiàn)。此外,由于其電子相互作用被氫鍵所改變而造成晶格膨脹,Ti3C2Tx晶格條紋間距增大,抑制了Ti3C2Tx納米片團(tuán)聚,促進(jìn)電荷傳輸通道的形成,有利于電荷進(jìn)入材料內(nèi)部然后被陷阱捕獲。上述證據(jù)表明,通過成功實(shí)施 HBA 策略,TS-CFP自組裝體系的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性得到了顯著增強(qiáng),并且在其內(nèi)部有效地構(gòu)建了陷阱。

3.3.TS-CFP中摩擦電荷的耗散與存儲(chǔ)性能

與純纖維素相比,該摩擦電材料具有較低的電荷耗散率,淺層與深層陷阱密度分別提高了約15倍和54倍,表明 TS-CFP 自組裝系統(tǒng)中存在更多此類陷阱。當(dāng)摩擦電荷從表面移動(dòng)到材料中時(shí),它們可能會(huì)遇到陷阱并被捕獲,從而阻礙其原始路徑。相較于淺層陷阱,深層陷阱具有更高的陷阱能級(jí) (0.87 eV);這意味著當(dāng)電荷試圖從深層陷阱中逃離時(shí),必須克服一個(gè)更大的勢壘,因此電荷被捕獲并維持在陷阱中的時(shí)間得以延長,從而減少了耗散。此外,該摩擦電材料表現(xiàn)出良好的介電性能與較大的表面電勢,進(jìn)一步驗(yàn)證了深層陷阱在提升電荷儲(chǔ)存能力的有效性。

3.4.紙基摩擦電材料的摩擦電輸出特性

與純纖維素基TENG相比,基于該材料的TENG在2 Hz下的電荷密度、短路電流和開路電壓分別提高了574%、545%和368%,峰值輸出功率密度提高了約45倍。SiO2含量對(duì)開路電壓具有雙重影響:適量時(shí)通過增加深層陷阱密度提升電荷存儲(chǔ)能力,過量時(shí)則通過削弱駐極體效應(yīng)和提高電導(dǎo)率加劇電荷耗散,從而呈現(xiàn)出先升后降的變化趨勢。而且,該TENG在20,000次循環(huán)后仍能保持約136 V的穩(wěn)定電壓,具有良好的穩(wěn)定性和作為自供電電源的潛力。

3.5.極端氣候下的紙基TENG

由于深層陷阱能夠捕獲紫外線輻射產(chǎn)生的光生載流子和熱激發(fā)產(chǎn)生的電荷載流子,該紙基TENG在暴露于紫外線和高溫條件下長達(dá)12 h后,其電壓分別只降低了14%和6%,具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。同時(shí),TENG的快速響應(yīng)-恢復(fù)時(shí)間以及電壓與濕度之間的高度線性關(guān)系,表明其有望應(yīng)用于實(shí)時(shí)濕度監(jiān)測。以上試驗(yàn)表明,該紙基TENG在惡劣天氣條件下能保持正常功能,具有良好的應(yīng)用潛力。


4、結(jié)論

利用纖維素濾紙、Ti3C2Tx和SiO2成功設(shè)計(jì)了一種具有深層陷阱的紙基摩擦電材料。該材料能夠高效地將摩擦電荷傳輸至其內(nèi)部,并將它們牢牢捕獲在深層陷阱中而防止耗散。基于該材料的TENG展現(xiàn)出了卓越的穩(wěn)定性和實(shí)用性,為紙基摩擦電材料的進(jìn)一步發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。


原文鏈接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c05154


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