[Issued China Patent] [發(fā)明授權(quán)] 一種磁性熒光復(fù)合納米粒子及其制備方法與應(yīng)用 [ZL 200910037487.X]
inventor/creator：聶立波(博士后), 張黎明(Li-Ming ZHANG, Corresponding author), 顏榮華, 單鴻
Paten number/application number：ZL 200910037487.X
application/authorized announcemen date：2009-2-27
brief introduction：
[發(fā)明授權(quán)] 一種磁性熒光復(fù)合納米粒子及其制備方法與應(yīng)用
授權(quán)公告號(hào)：CN101503623B授權(quán)公告日：2012.09.26申請(qǐng)?zhí)枺?00910037487X申請(qǐng)日：2009.02.27同一申請(qǐng)的已公布的文獻(xiàn)號(hào)：申請(qǐng)公布日：20090812專利權(quán)人：中山大學(xué)發(fā)明人：聶立波;張黎明;顏榮華;單鴻
地址：510750廣東省廣州市新港西路135號(hào)
分類號(hào)：C09K11/88(2006.01)I 全部
摘要：
本發(fā)明公開(kāi)了一種磁性熒光復(fù)合納米粒子Fe3O4/CdTe/SiO2及其制備方法。所述磁性熒光復(fù)合納米粒子Fe3O4/CdTe/SiO2的制備方法首先采用化學(xué)油相高溫法制備疏水性單分散的Fe3O4納米粒子，并對(duì)疏水性Fe3O4納米粒子表面進(jìn)行改性使其分散于水相，再制備表面帶羧基的CdTe熒光量子點(diǎn)，通過(guò)共沉聚使CdTe熒光量子點(diǎn)沉淀在磁性Fe3O4納米粒子表面，然后利用配體交換在CdTe熒光量子點(diǎn)表面修飾硅烷偶聯(lián)劑，最后通過(guò)硅烷或硅酸酯水解形成最外層的SiO2包覆層。所述磁性熒光復(fù)合納米粒子Fe3O4/CdTe/SiO2直徑為30～50nm，同時(shí)具有磁性和熒光雙功能，標(biāo)記大鼠骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞后，熒光強(qiáng)度強(qiáng)而持久，細(xì)胞磁共振信號(hào)明顯減低。該粒子在生物標(biāo)記、生物分離等諸多領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。