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半導體發光材料ZnO納米囊的制備方法
發明/申請人:張永才,吳曉,張明,胡效亞
專利號/申請號:ZL200510122705.1
授權/申請日期:2008-1-23
本發明選取醋酸鋅粉末到雙氧水中攪拌溶解,調節其pH值約為8~11,放入密閉高壓反應釜中,在190~200℃及其自身壓力下水熱反應12~18h,晶化產物經抽濾后用去離子水洗滌,干燥,即得所需產物。解決了模板法工藝復雜、條件苛刻、成本高、提純難且大小受限于模板尺寸等和化學氣相沉積法需貴金屬催化劑,設備昂貴、能耗高,難以控制,重復性不好,產率低、顆粒大,難以規模化生產等缺陷。本發明原料便宜、無毒、無污染,無須模板和催化劑,工藝簡化,成本低,易于規模化生產,產品純六方向、粒徑分布范圍窄、具有優良光之發光性能的ZnO納米囊,無其它有機物和金屬離子污染
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