項目類別：中國博士后基金
參與人員：詹科
起止日期：2014-2015
采用薄膜基底有效晶格常數(shù)來計入界面晶格失配對殘余應(yīng)力的貢獻，建立一種考慮鐵電薄膜界面失配的晶粒應(yīng)變模型；實驗上采用掠入射X射線衍射技術(shù)，獲得鐵電薄膜中不同穿透深度處X射線衍射譜，從而獲得不同薄膜厚度處的晶格常數(shù)，即該處單個晶粒的應(yīng)變；依據(jù)壓電本構(gòu)方程以及薄膜/基底界面邊界條件，計算出薄膜/基底體系殘余應(yīng)力值。在此基礎(chǔ)上，利用該模型對不同工藝下的鐵電薄膜界面殘余應(yīng)力進行表征，建立鐵電薄膜界面殘余應(yīng)力與鐵電薄膜制備工藝參數(shù)、主導(dǎo)功能特性之間的關(guān)系，實現(xiàn)界面殘余應(yīng)力調(diào)控鐵電薄膜功能特性。該研究工作對提高薄膜制備質(zhì)量、掌握鐵電薄膜結(jié)構(gòu)的形成和穩(wěn)定規(guī)律以及理解界面殘余應(yīng)力對鐵電薄膜物理性能的影響等均具有直接的指導(dǎo)意義。