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Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method  
Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method
資料類型: PDF文件
關鍵詞: neutral  cluster  beam  deposition  method  
資料大小: 76K
所屬學科: 分子表征
來源: 2009年第8屆國際共軛高分子與有機納米結構光探測大會(6.6-6.10,北京)
簡介:
Wepresentthefirstapplicationoftheneutralclusterbeamdeposition(NCBD)methodtopreparen-typeorganicthin-filmtransistorswithatop-contactstructurebasedonN,N’-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylicdiimide(P13).Systematicanalysiswascarriedouttoexaminetheeffectsofsurfacepassivationandthermalpost-treatmentonthemorphologyandcrystallinityofP13activelayersanddeviceperformance,togetherwithoperationalstabilityasafunctionoftime.
作者: Ying Zhang,* Hoon-seok Seo, Min-jun An, Jong-ho Choi
上傳時間: 2009-07-29 11:09:17
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