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在多結構高分子表面制備ZnO陣列的方法
發明/申請人：王磊；鄭詠梅
專利號/申請號：ZL201310310268
授權/申請日期：2015-4-15
本發明公開了一種在多結構高分子表面制備ZnO陣列的方法，屬于界面化學領域。所述方法包括緩沖材料的制備，基底材料表面的修飾以及二者結合后ZnO陣列的生長的步驟。本發明解決了ZnO和高分子表面的結合問題，實現了良好的實驗重復性；解決了高分子和無機ZnO材料的結合問題，可以在多種高分子材料表面實現制備；本發明的制備周期短，可以實現大規模生產。
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