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材料參數誤差對多層ZnOw 吸波涂層優化結果的影響  
材料參數誤差對多層ZnOw 吸波涂層優化結果的影響
資料類型: PDF文件
關鍵詞: 多層雷達吸波材料  四針狀氧化鋅晶須  誤差分析  
資料大小: 265K
所屬學科: 分子表征
來源: 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡介:
多層雷達吸波材料(RAM)的性能與各層材料的電磁參數及厚度緊密相關。針對以四針狀氧化鋅晶須(ZnOw)為主要成分的多層RAM結構,在2~18GHz頻率范圍內討論了各層材料電磁參數及厚度誤差對于優化結果的影響,詳細分析了靠近金屬襯底的介質層的材料電磁參數及厚度誤差對優化結果的影響。
作者: 晁坤,劉運林,楊儒貴
上傳時間: 2008-06-17 13:33:35
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相關評論 共有1人發表評論 更多評論
k617551    2010-05-07 10:36:08
理論性很強!
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