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THz量子級聯激光器的材料生長和器件制作

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291K

所屬學科：

分子表征

來源：

簡介：

采用分子束外延的方法，生長了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振聲子輔助躍遷的太赫茲量子級聯激光器結構，并按照單面金屬波導的工藝進行了器件制作。材料的結構由高分辨X射線衍射來確定。在溫度為9～150K的范圍內，測量了器件的I-V曲線。

作者：

韓英軍，黎華，譚智勇，曹俊誠

上傳時間：

2008-09-11 15:35:30

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