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THz量子級聯激光器的材料生長和器件制作  
THz量子級聯激光器的材料生長和器件制作
資料類型： PDF文件
關鍵詞： 太赫茲  量子級聯激光器  分子束外延  
資料大小： 291K
所屬學科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
采用分子束外延的方法，生長了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振聲子輔助躍遷的太赫茲量子級聯激光器結構，并按照單面金屬波導的工藝進行了器件制作。材料的結構由高分辨X射線衍射來確定。在溫度為9～150K的范圍內，測量了器件的I-V曲線。
作者： 韓英軍，黎 華，譚智勇，曹俊誠
上傳時間： 2008-09-11 15:35:30
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