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> 大氣開放式MOCVD 方法制備ZnO 薄膜的氣敏特性研究
大氣開放式MOCVD 方法制備ZnO 薄膜的氣敏特性研究
大氣開放式MOCVD 方法制備ZnO 薄膜的氣敏特性研究
資料類型:
PDF文件
關(guān)鍵詞:
mocvd
zno
碳?xì)浠衔?/a>
氣敏
資料大小:
531K
所屬學(xué)科:
分子表征
來源:
2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡(jiǎn)介:
利用大氣開放式MOCVD在氧化鋁基片上沉積ZnO薄膜,研究了沉積工藝參數(shù)對(duì)薄膜形貌的影響,結(jié)果表明基片溫度對(duì)ZnO薄膜的晶體形貌有顯著的影響,在一定的條件下能夠沉積出具有高比表面積花瓣片層結(jié)構(gòu)的ZnO薄膜。以酒精蒸氣為例,研究了ZnO薄膜對(duì)碳?xì)溆袡C(jī)化合物氣體的氣敏特性,結(jié)果表明結(jié)晶度高且晶粒細(xì)小、比表面積高的薄膜具有較好的氣敏特性。
作者:
沈敬亭,張躍
上傳時(shí)間:
2008-06-20 18:02:26
下載次數(shù):
63
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