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Sn 膜硫化合成SnS 薄膜及其性能研究 |
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| 資料類(lèi)型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
sns 薄膜 兩步法 光電性能 |
| 資料大小： |
310K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來(lái)源： |
2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專(zhuān)題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡(jiǎn)介： |
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用熱蒸發(fā)法技術(shù)在ITO透明導(dǎo)電玻璃上沉積一層Sn膜，將其裝入石墨盒里后，放在真空爐里面硫化處理，硫化溫度在150～350℃之間。通過(guò)對(duì)在不同溫度下硫化的薄膜進(jìn)行結(jié)構(gòu)、成分和表面形貌分析，表明退火溫度在230～250℃之間時(shí)所制得的薄膜為正交結(jié)構(gòu)的SnS多晶薄膜，其均勻性和對(duì)基片的附著力都較好，具有(111)方向優(yōu)先生長(zhǎng)，薄膜粒徑在200～800nm。通過(guò)測(cè)量薄膜樣品的反射和透射光譜，計(jì)算得到其直接禁帶寬度Eg＝1.38eV，在基本吸收邊附近的吸收系數(shù)大于104/cm，用霍爾測(cè)量系統(tǒng)測(cè)得其導(dǎo)電類(lèi)型為p型，適合應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的吸收層材料。 |
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| 作者： |
彭少朋，程樹(shù)英
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| 上傳時(shí)間： |
2008-08-12 15:56:53 |
| 下載次數(shù)： |
44 |
| 消耗積分： |
2
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