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注入溫度對(duì)Mn+注入p-GaN 薄膜的結(jié)構(gòu)和磁性影響

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關(guān)鍵詞：

gan 離子注入注入溫度磁性

資料大小：

241K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡(jiǎn)介：

在(0001)面的藍(lán)寶石襯底上用低壓MOCVD法生長(zhǎng)p型GaN外延層。對(duì)p型GaN薄膜用180keV的Mn+離子注入進(jìn)行磁性粒子摻雜，注入劑量保持為5.01015cm-2，但注入時(shí)p型GaN分別處于室溫、300℃和500℃。對(duì)注入的樣品在N2氣流中進(jìn)行快速熱退火處理，溫度為850℃、時(shí)間為30s。用超導(dǎo)量子干涉儀（SQUID）對(duì)樣品的磁性進(jìn)行了分析，室溫下注入樣品的磁響應(yīng)較弱，未發(fā)現(xiàn)鐵磁性；在300℃下注入的樣品中發(fā)現(xiàn)有較強(qiáng)的鐵磁性，更高的500℃的注入溫度并不能進(jìn)一步增強(qiáng)鐵磁性。結(jié)合用X射線衍射（XRD）對(duì)不同注入溫度樣品的結(jié)構(gòu)研究，揭示只有適當(dāng)?shù)淖⑷霚囟龋?00℃）才有利于GaN晶格的恢復(fù)和鐵磁性的產(chǎn)生。

作者：

石瑛，蔣昌忠，范湘軍

上傳時(shí)間：

2008-08-22 15:04:34

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