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不同劑量和退火條件下Mn+注入p-GaN 薄膜的電、磁特性研究  
不同劑量和退火條件下Mn+注入p-GaN 薄膜的電、磁特性研究
資料類型: PDF文件
關鍵詞: gan  離子注入  退火  磁性  電阻率  
資料大小: 228K
所屬學科: 分子表征
來源: 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡介:
對在藍寶石襯底上MOCVD生長的p型GaN薄膜,用能量為90keV的Mn+離子進行室溫下的磁性離子注入摻雜,注入劑量為11015~51016cm-2。對注入的樣品在N2氣流中經800℃下0~90s時間不等的快速熱退火處理。對樣品的電、磁特性分析發現在注入劑量較低時(≤11016cm-2),樣品中的強鐵磁性對應著高電阻率,弱鐵磁性對應著低電阻率;而在51016cm-2的高注入劑量下則沒有這樣的規律。通過對退火條件的研究,發現在800℃下退火45s的樣品具有較強的鐵磁性和較低的電阻率,而退火90s的樣品中鐵磁性減弱,電阻率升高,揭示出注入劑量和退火條件是在對p型GaN薄膜進行磁性離子注入摻雜過程中的兩個重要控制參量。
作者: 石瑛,宋平,蔣昌忠,范湘軍
上傳時間: 2008-08-22 15:05:49
下載次數: 39
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