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硅粉在冷等離子體中的刻蝕純化  
硅粉在冷等離子體中的刻蝕純化
資料類型： PDF文件
關鍵詞： 粉粒表面刻蝕  刻蝕純化  太陽級硅  直流冷等離子體  
資料大小： 511K
所屬學科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
介紹了一種用直流輝光放電產生的冷等離子體對硅粉刻蝕純化的方法。實驗是在氬氣氛中進行，結果表明硅粉純度可由97.66%提高到98.47%。處理后的硅粉還可進行熔化－固化－粉碎再處理，因此是一種技術上可行的太陽級硅制備新方法。文中還應用反應室鞘層厚度、硅粉沉降平均速度、考慮高能粒子刻蝕作用的刻蝕速率方程等進行理論分析，結果顯示，在一定的工藝參數下，刻蝕提純是有效的。這也為粉體表面刻蝕研究提供了新的思路。
作者： 王家鑫，尹盛，王飛，王敬義
上傳時間： 2008-08-25 14:37:50
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