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注硅工藝對UNIBOND SOI 材料抗輻照性能的影響

資料類型：

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關鍵詞：

絕緣體上的硅智能剝離離子注入納米晶

資料大小：

252K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

SOI材料天然具有抗瞬時輻射的能力，而通過特定的改性處理后，SOI的抗總劑量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制備方法包括SIMOX（注氧隔離方法）和UNIBONDSOI（智能剝離方法制備）。在SIMOXSOI的抗輻射加固領域，采用氮離子注入、氮氧共注入以及硅離子注入的方法都曾取得過很有效的結果。采用硅離子注入的方法對UNIBONDSOI進行了抗總劑量加固。采用P-MOS的表征方法對加固前后的樣品進行了比較和分析，在HP-4155B半導體測試儀上得到的I-V曲線和提取的參數表明，注入的離子有效地減少了埋層中積累的正電荷得，圓片抗總劑量能力得到了大幅度提高。初步的理論分析表明是注入的硅離子形成的納米團簇起到了俘獲正電荷的作用。

作者：

武愛民，陳靜，張恩霞，楊慧，張正選，王曦

上傳時間：

2008-08-27 16:24:27

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