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P 型硅并五苯有機場效應(yīng)晶體管的研制  
P 型硅并五苯有機場效應(yīng)晶體管的研制
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 有機場效應(yīng)晶體管  并五苯  遷移率  
資料大小： 213K
所屬學科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
以P++硅為襯底，熱生長SiO2為柵絕緣層，真空蒸發(fā)有機半導體材料并五苯作為有源層，射頻磁控濺射金作為源、漏電極，成功制作了底接觸式并五苯有機場效應(yīng)晶體管（OFETs）。測試表明在源漏電壓為70V時，器件的載流子遷移率μ為：0.31cm2/V.s。
作者： 董茂軍，陶春蘭，孫碩，李建豐，歐谷平，張福甲
上傳時間： 2008-08-27 16:32:45
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相關(guān)評論 共有1人發(fā)表評論 更多評論
zfaj_2005    2009-03-20 16:56:56
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