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納米摻雜SnO2 的研究及其第一性原理的計算  
納米摻雜SnO2 的研究及其第一性原理的計算
資料類型: PDF文件
關鍵詞: 第一性原理  SnO2  電子結構  摻雜  
資料大小: 558K
所屬學科: 分子表征
來源: 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡介:
利用Castap軟件計算了Co以不同比例摻雜SnO2的電子結構,分析了摻雜及摻雜比例對改善SnO2導電性的作用,建立了純SnO2計算模型。計算結果表明:純SnO2是一種包含離子鍵的共價鍵直接禁帶半導體;通過摻雜能夠在一定程度上改變成鍵性質,使其具有金屬鍵性質,從而提高SnO2導電性。其中,摻雜比率為5%的價帶到中間能級寬度最小,摻雜原子與其鄰近原子的電荷重疊區更明顯,系統電子共有化程度最高,費米能級處對電子態密度的貢獻也最大,因此摻雜比率為5%的導電性最好。
作者: 劉志勇,鄭冀,李松林
上傳時間: 2008-09-05 13:37:30
下載次數: 39
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相關評論 共有3人發表評論 更多評論
hahaxinxin    2009-03-03 15:14:10
好 很到位
hahaxinxin    2009-03-03 15:11:40
很好 很到位
arlygay    2008-11-23 15:23:27
內容不錯,值得參考!
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