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一種基于CVD 法的納米碳管微觀分析及場致發射特性的研究

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關鍵詞：

化學氣相沉積（CVD）納米碳管微觀分析場致發射

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436K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

將化學氣相沉積法（CVD）制備的納米碳管提純后，用透射電鏡（TEM）觀測了它的微觀結構，通過實驗對納米碳管在不同溫度下生長的結構特性進行了分析比較，得出了納米碳管生長的最佳溫度為750℃；并對納米碳管粉體的拉曼(Raman)光譜進行了分析，得到了與透射電鏡觀測相一致的結論；最后測試了納米碳管的場致發射特性。

作者：

劉立軍，張志勇，楊延寧，翟春雪

上傳時間：

2008-09-05 14:20:57

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相關評論 共有2人發表評論

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roy2008 2008-11-29 20:41:12

this paper is very good

lirongyu 2008-09-21 10:29:55

這文章的場發射特性，沒實驗裝置介紹，感覺缺點東西，可行度也差一些了。

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