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新型近紅外光電探測材料碲銦汞的研究  
新型近紅外光電探測材料碲銦汞的研究
資料類型： PDF文件
關鍵詞： 碲銦汞  晶體生長  垂直布里奇曼法  光電半導體材料  近紅外探測器  
資料大小： 390K
所屬學科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
研究了一種新型近紅外光電探測材料碲銦汞（MIT）晶體，利用垂直Bridgman法成功生長了MIT單晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光譜分析及Hall測試對晶體的形態結構及光電性能進行了檢測。結果表明：MIT晶體為缺陷閃鋅礦結構，其在中遠紅外波段透過性能較好（＞50%），并且隨著波長的增大，透過增強。MIT晶體為n型半導體，室溫電阻率為4.79102Ωcm，載流子遷移率為4.6102cm2V-1s-1，載流子濃度為2.831013cm-3。較低的載流子濃度，有利于降低探測器的噪聲及提高探測器的能量分辨率。
作者： 王領航，張繼軍，介萬奇，董陽春
上傳時間： 2008-09-08 14:25:50
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