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退火溫度對磁控濺射制備的β-FeSi2薄膜的影響  
退火溫度對磁控濺射制備的β-FeSi2薄膜的影響
資料類型: PDF文件
關鍵詞: 鐵硅化物  退火溫度  β-FeSi2薄膜  XRD  SEM  RBS  
資料大小: 397K
所屬學科: 分子表征
來源: 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡介:
采用磁控濺射的方法,在高真空條件下,沉積金屬Fe到Si(100)襯底上,然后通過真空退火爐在不同溫度條件下對樣品進行熱處理,直接形成了β-FeSi2薄膜。采用X射線衍射儀(XRD)對樣品進行了晶體結構分析,利用盧瑟福背散射(RBS)對Fe-Si化合物的形成過程中的Fe原子和Si原子的互擴散機理進行了研究,利用掃描電鏡(SEM)對樣品表面的顯微結構進行表征,結果表明,在900℃條件下退火能夠得到質量很好的β-FeSi2薄膜,超過這一溫度β相將開始向α相轉化,到1000℃,β-FeSi2全部轉化為α-FeSi2。
作者: 梁 艷,謝 泉,曾武賢,張晉敏,楊吟野,肖清泉,任雪勇
上傳時間: 2008-09-08 14:32:06
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