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退火溫度對磁控濺射制備的β-FeSi2薄膜的影響

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關(guān)鍵詞：

鐵硅化物退火溫度 β-FeSi2薄膜 XRD SEM RBS

資料大?。?/td>

397K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用磁控濺射的方法，在高真空條件下，沉積金屬Fe到Si(100)襯底上，然后通過真空退火爐在不同溫度條件下對樣品進(jìn)行熱處理，直接形成了β-FeSi2薄膜。采用X射線衍射儀（XRD）對樣品進(jìn)行了晶體結(jié)構(gòu)分析，利用盧瑟福背散射（RBS）對Fe-Si化合物的形成過程中的Fe原子和Si原子的互擴(kuò)散機(jī)理進(jìn)行了研究，利用掃描電鏡（SEM）對樣品表面的顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征，結(jié)果表明，在900℃條件下退火能夠得到質(zhì)量很好的β-FeSi2薄膜，超過這一溫度β相將開始向α相轉(zhuǎn)化，到1000℃，β-FeSi2全部轉(zhuǎn)化為α-FeSi2。

作者：

梁艷，謝泉，曾武賢，張晉敏，楊吟野，肖清泉，任雪勇

上傳時間：

2008-09-08 14:32:06

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