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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
熱蒸發(fā) ZnO納米棒陣列 ZnO薄膜緩沖層 |
| 資料大小： |
400K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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采用熱蒸發(fā)的方法在ZnO薄膜緩沖層上成功制備了高密度的ZnO納米棒陣列，其中ZnO薄膜緩沖層是通過PLD(PulsedLaserDeposition)的方法制得。與已有的報道不同，該方法未使用任何金屬催化劑。X射線衍射儀（XRD）以及場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）的結(jié)果表明，實驗得到的ZnO納米棒陣列整齊垂直排列在襯底上。此外，在常溫下測量得到的光致發(fā)光（PL）譜和透射電子顯微鏡顯示該ZnO納米棒陣列結(jié)晶較好，無明顯的缺陷。研究結(jié)果表明納米棒陣列的形成主要歸因于ZnO納米棒和薄膜之間完美的晶格匹配。 |
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| 作者： |
張志鵬，王 浩，莫 琦，王 毅，汪漢斌，楊輔軍，朱建華
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| 上傳時間： |
2008-09-11 14:57:56 |
| 下載次數(shù)： |
29 |
| 消耗積分： |
2
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