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BST類鐵電薄膜的最低晶化溫度和自組裝生長研究

資料類型：

PDF文件

關(guān)鍵詞：

鐵電薄膜 BST 外延生長 LMBE

資料大小：

226K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

利用激光分子束外延技術(shù)（LMBE）在Si(111)、SrTiO3（100）單晶基片上在（10-5Pa）高真空環(huán)境中外延生長SrTiO3（STO）、BaTiO3（BTO）、Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）鐵電薄膜。通過反射高能電子衍射（RHEED）實時監(jiān)測薄膜生長，并結(jié)合原子力顯微鏡（AFM）分析薄膜的生長模式。根據(jù)RHEED衍射強度振蕩曲線及衍射圖樣的變化確定動態(tài)和靜態(tài)最低晶化溫度，發(fā)現(xiàn)STO、BTO、BST三種鐵電薄膜可以分別在280℃、330℃、340℃的低溫下實現(xiàn)外延層狀生長。當保持BTO(110)/Si（111）層狀生長，逐漸降低沉積速率時,發(fā)現(xiàn)這種層狀模式中每層高度是由整數(shù)倍單胞堆積而成，并且隨著沉積速率從0.017nm/s降低到0.005nm/s時，每層高度由9降低到1個BTO單胞構(gòu)成，這對由ABO3鈣鈦礦材料自組裝形成納米結(jié)構(gòu)具有重要意義。

作者：

李金隆張鷹李言榮鄧新武熊杰

上傳時間：

2007-07-13 13:23:38

下載次數(shù)：

616

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