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負偏壓增強金剛石膜與襯底結合強度的理論研究 |
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資料類型: |
PDF文件
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關鍵詞: |
金剛石膜 硅襯底 結合力 |
資料大小: |
100K |
所屬學科: |
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來源: |
來源網絡 |
簡介: |
由于金剛石與Si有較大的晶格失配度和表面能差,利用化學氣相沉積(CVD)制備金剛石膜時,金剛石在鏡面光滑的Si表面上成核率非常低。而負襯底偏壓能夠提高金剛石在鏡面光滑的Si表面上的成核率,表明金剛石核與Si表面的結合力也得到增強。利用負偏壓增強CVD系統制備金剛石膜時,氣體輝光放電產生的離子對Si表面轟擊,使得Si襯底表面產生了微缺陷(凹坑),增大了金剛石膜與Si襯底的結合面積。本工作主要從理論上研究離子轟擊對金剛石膜與Si襯底結合力的影響。 |
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上傳人: |
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上傳時間: |
2007-07-11 14:23:33 |
下載次數: |
7018 |
消耗積分: |
2
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