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四川大學(xué)王延青 AFM:氧化石墨烯納米片協(xié)同雙工程設(shè)計(jì)硬碳 - 邊緣鈍化與催化SEI設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)超高初始庫(kù)侖效率鈉離子電池
2025-07-10  來(lái)源:高分子科技

  全球能源需求的持續(xù)增長(zhǎng)以及對(duì)碳中和的迫切需求,促使先進(jìn)電池技術(shù)成為可持續(xù)能源研究的核心領(lǐng)域,尤其是在可再生能源系統(tǒng)與電氣化交通的大規(guī)模整合方面。在眾多新興電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)中,鈉離子電池(SIBs)憑借鈉資源的天然富集性、成本效益以及環(huán)境友好性,已成為鋰離子電池技術(shù)的可行替代方案。SIBs的商業(yè)化可行性在很大程度上依賴(lài)于電極材料創(chuàng)新的突破,尤其是高性能負(fù)極的開(kāi)發(fā),其需在成本效率比上實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。


  硬碳負(fù)極因其卓越的電化學(xué)性能,被廣泛視為SIBs最具潛力的候選材料之一。然而,傳統(tǒng)硬碳結(jié)構(gòu)中固有的高活性邊緣位點(diǎn)(如缺陷、開(kāi)孔和氧官能團(tuán))易引發(fā)寄生反應(yīng),導(dǎo)致電解質(zhì)過(guò)度分解。這一現(xiàn)象使得固態(tài)電解質(zhì)界面(SEI)層在初始充放電過(guò)程中不受控地生長(zhǎng),進(jìn)而大量消耗鈉離子,降低初始庫(kù)侖效率(ICE,通常約為60%)和可逆容量。當(dāng)前的緩解策略主要集中在通過(guò)結(jié)構(gòu)修飾鈍化邊緣位點(diǎn)。然而,當(dāng)前的界面工程策略面臨著一個(gè)內(nèi)在的性能悖論:盡管減少邊緣位點(diǎn)可抑制SEI層的形成,但會(huì)相應(yīng)降低可逆容量(<300 mAh g?1);相反,保留大量活性位點(diǎn)的邊緣結(jié)構(gòu)雖能增強(qiáng)容量(>400 mAh g?1),但會(huì)加劇初始庫(kù)侖效率的惡化(<60%)。這一矛盾凸顯了開(kāi)發(fā)創(chuàng)新策略以平衡這些相互競(jìng)爭(zhēng)因素的必要性。


  界面化學(xué)的最新研究進(jìn)展表明,含氧官能團(tuán)在調(diào)節(jié)電極-電解質(zhì)相互作用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。這些官能團(tuán)主要分布在碳材料的邊緣位置,可通過(guò)氫鍵作用、離子配位以及π共軛效應(yīng)與其他材料實(shí)現(xiàn)界面結(jié)合。這種多功能特性為在保持足夠鈉儲(chǔ)存容量的同時(shí)鈍化活性邊緣位點(diǎn)提供了獨(dú)特機(jī)遇。然而,如何精確調(diào)控這些界面相互作用,以實(shí)現(xiàn)SEI穩(wěn)定性與容量保持之間的最佳平衡,仍是亟待解決的科學(xué)難題。




  基于此,四川大學(xué)王延青特聘研究員課題組,在國(guó)際知名期刊Advanced Functional Materials上發(fā)表題為“Synergistic Dual-Engineering of Hard Carbons via Graphene Oxide Nanosheets: Enabling Ultrahigh ICE Sodium-Ion Batteries through Edge Passivation and Catalytic SEI Design”的研究論文。四川大學(xué)高分子科學(xué)與工程學(xué)院博士研究生黃港文章第一作者,華南理工大學(xué)生物醫(yī)學(xué)科學(xué)與工程學(xué)院博士研究生胡杰為文章共同第一作者,四川大學(xué)王延青特聘研究員為文章通訊作者。


  在本研究中,采用氧化石墨烯(GO)納米片對(duì)硬碳材料邊緣進(jìn)行鈍化處理,并通過(guò)構(gòu)建多維協(xié)同的分子間相互作用網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)了對(duì)邊緣位點(diǎn)的原子級(jí)精度調(diào)控。在此基礎(chǔ)上,通過(guò)引入單壁碳納米管(SWCNTs)構(gòu)筑三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),進(jìn)一步制備出高性能、無(wú)集流體自支撐的硬碳負(fù)極。具體而言,GO表面豐富的含氧官能團(tuán)(-OH / -COOH)能夠形成與硬碳邊緣位點(diǎn)的強(qiáng)氫鍵網(wǎng)絡(luò),有效鈍化活性位點(diǎn),同時(shí)顯著提升材料的機(jī)械柔韌性。更為關(guān)鍵的是,分布在GO納米片間的羰基(C=O)基團(tuán)可作為選擇性吸附位點(diǎn),借助Lewis酸堿相互作用優(yōu)先催化NaPF?的分解,從而誘導(dǎo)形成以NaF為主要無(wú)機(jī)組分且呈梯度分布的SEI。將該材料作為SIBs負(fù)極時(shí),電極展現(xiàn)出高可逆容量(在0.1 A g?1下為441.3 mAh g?1;在4.6 mg cm?2的高負(fù)載量下, ICE達(dá)90.9%)以及優(yōu)異的倍率性能(在2.0 A g?1下為161.1 mAh g?1)。這種鈍化-”雙功能機(jī)制的協(xié)同作用,成功打破了硬碳材料可逆容量與ICE之間的相互制約關(guān)系。本工作提出的GO納米片界面改性策略可通過(guò)調(diào)節(jié)GO官能團(tuán)的類(lèi)型和空間分布,適用于不同前驅(qū)體制備的硬碳材料,為高性?xún)r(jià)比的SIBs負(fù)極提供了一條創(chuàng)新的技術(shù)途徑。


本文要點(diǎn)


要點(diǎn)一:基于GO介導(dǎo)的鈍化-催化策略制備超高初始庫(kù)侖效率硬碳材料



1. aSWCNT/GO/PCSSCGP)復(fù)合材料的合成示意圖。B)通過(guò)GO納米片對(duì)硬碳的邊緣活性位點(diǎn)改性的示意圖。SEM圖像:cdSWCNT/PCSSCP)和SCGP復(fù)合材料。TEM圖像:efSCPSCGP復(fù)合材料。HRTEM圖像:giSCPSCGPhjSCPSCGP復(fù)合材料的STEM圖像和EDS元素分布圖


  采用改進(jìn)的Hummers法制備GO。而介孔硬碳(PCS)通過(guò)膠束溶劑誘導(dǎo)自組裝方法合成,直徑約200 nm,表面富含孔隙和邊緣位點(diǎn),且有大量羥基和羧基官能團(tuán)。基于GO表面的含氧官能團(tuán),GO納米片可通過(guò)氫鍵牢固吸附于PCS邊緣。DFT計(jì)算表明,GO表面的羧基與PCS邊緣的羥基之間形成穩(wěn)定氫鍵,同時(shí)GO片層上的羥基與PCS邊緣的羧基之間也存在顯著成鍵相互作用。這種多級(jí)氫鍵協(xié)同效應(yīng)實(shí)現(xiàn)了GOPCS邊緣的化學(xué)錨定,形成的三維氫鍵網(wǎng)絡(luò)有效鈍化了PCS邊緣的活性位點(diǎn),并提高了復(fù)合材料的力學(xué)性能和柔性。此外,GO中的羰基(C=O)可作為催化活性中心,促進(jìn)鈉鹽的優(yōu)先還原,形成均勻且富含無(wú)機(jī)成分的SEI層。為了優(yōu)化電荷傳輸動(dòng)力學(xué),進(jìn)一步將SWCNTs引入GO/PCS復(fù)合結(jié)構(gòu)的外層,構(gòu)建三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),制備出自支撐復(fù)合材料(記為SCGP)。SEM結(jié)果顯示,未引入GOPCSSWCNTs網(wǎng)絡(luò)中明顯聚集,PCS表面活性位點(diǎn)直接暴露于電解質(zhì)中。相比之下,經(jīng)GO界面修飾后的SCGP中,PCS均勻分散,邊緣區(qū)域被GO納米片選擇性覆蓋。TEM進(jìn)一步證實(shí)了這種空間約束效應(yīng)。HRTEM圖像清晰展示了GOPCS邊緣之間的多維協(xié)同氫鍵網(wǎng)絡(luò),有效鈍化了大量邊緣活性位點(diǎn)。定量EDS分析表明,SCGP中的氧含量較未修飾的PCS體系顯著增加,證實(shí)了GO界面修飾誘導(dǎo)的氧元素梯度富集效應(yīng)。



2. aGO-COOHPCS-OHGO-OHPCS-COOH的結(jié)合能。BFTIR光譜。cXRD圖譜。c)拉曼光譜。dN2吸附-脫附等溫線(xiàn)。fSAXS曲線(xiàn)。g)彎曲性能測(cè)試。h)拉伸應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)。i)壓縮性能測(cè)試。


要點(diǎn)二:基于GO介導(dǎo)的鈍化增韌機(jī)理研究



3. a,b) 顯示SCPSCGP半峰全寬(FWHM)的WAXS圖譜。c) SCPSCGPFWHM對(duì)比。d) 通過(guò)原位應(yīng)變調(diào)制拉曼光譜獲得的拉曼G峰頻移對(duì)應(yīng)變的依賴(lài)性。e) 根據(jù)分子動(dòng)力學(xué)模擬的GO對(duì)SCGP的增韌機(jī)制。f) 增韌機(jī)制示意圖。


  為了深入探究微觀力學(xué)響應(yīng)機(jī)制,采用了原位應(yīng)變調(diào)制拉曼光譜,通過(guò)分析彎曲應(yīng)變誘導(dǎo)的拉曼G波段頻率變化,揭示樣品所承受的應(yīng)力及其對(duì)應(yīng)變的依賴(lài)性。結(jié)果顯示,SCP樣品在30°彎曲時(shí)僅表現(xiàn)出2.7-3.0 cm?1范圍內(nèi)的G峰藍(lán)移,且在達(dá)到平臺(tái)區(qū)域后,進(jìn)一步增加彎曲應(yīng)變并未使應(yīng)力傳遞至SCP。相比之下, SCG體系的拉曼光譜表現(xiàn)出更為復(fù)雜的特征:在60°彎曲應(yīng)變前,G峰上移6.3 cm?1,隨后在60°150°彎曲應(yīng)變區(qū)間保持平臺(tái),之后又出現(xiàn)額外的15 cm?1的拉曼頻率上移。值得注意的是,SCGP展現(xiàn)出理想的線(xiàn)性應(yīng)力-應(yīng)變傳遞特性,表現(xiàn)為連續(xù)的G峰位移6 cm?1這一結(jié)果表明,SCPSCG的應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)中的平臺(tái)區(qū)域源于SWCNTsPCSGO之間的滑動(dòng)行為,而這種滑動(dòng)在SCGP中被有效抑制。這是由于GOPCS邊緣之間形成的三維氫鍵交聯(lián)網(wǎng)絡(luò),不僅實(shí)現(xiàn)了應(yīng)力場(chǎng)的均勻分布,還通過(guò)邊緣鈍化機(jī)制顯著增強(qiáng)了材料的力學(xué)性能。進(jìn)一步的分子動(dòng)力學(xué)模擬揭示了SCGP的協(xié)同增韌機(jī)制:在拉伸初期,PCS邊緣與GO之間的氫鍵網(wǎng)絡(luò)通過(guò)動(dòng)態(tài)重配置機(jī)制有效分散外部應(yīng)力,延遲裂紋擴(kuò)展;同時(shí),氫鍵網(wǎng)絡(luò)通過(guò)分子錨固效應(yīng)抑制GO片層的滑動(dòng),進(jìn)一步阻礙裂紋擴(kuò)展。隨著拉伸的繼續(xù),GOPCS之間的氫鍵被拉伸,從而增加材料的韌性,直至SCGP完全斷裂。這種滑動(dòng)抑制-應(yīng)力消散-裂紋阻斷的多級(jí)協(xié)同機(jī)制賦予了SCGP材料卓越的力學(xué)性能),使其在高強(qiáng)度和高柔韌性方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。


要點(diǎn)三:電化學(xué)性能和界面研究


  本研究采用半電池結(jié)構(gòu)評(píng)估了SCP型和SCGP型樣品的Na?存儲(chǔ)性能。恒流充放電測(cè)試(0.1 A g?1)顯示,兩種負(fù)極均呈現(xiàn)典型的硬碳特征曲線(xiàn),包含兩個(gè)Na?存儲(chǔ)區(qū)域:斜率區(qū)(>0.1 V,對(duì)應(yīng)Na?吸附/解吸)和低壓平臺(tái)區(qū)(<0.1 V,源于準(zhǔn)金屬態(tài)填充和部分插層)。SCGP展現(xiàn)出顯著優(yōu)化的電化學(xué)性能,其可逆容量達(dá)401.4 mAh g?1ICE=90.9%),遠(yuǎn)優(yōu)于SCP242.4 mAh g?1ICE=67.1%)。性能提升主要?dú)w因于:1)邊緣活性位點(diǎn)定向鈍化降低副反應(yīng)(36.9%容量來(lái)自平臺(tái)區(qū));2)氧化石墨烯界面工程構(gòu)建的氫鍵網(wǎng)絡(luò)促進(jìn)封閉孔隙形成。


  倍率測(cè)試表明,SCGP0.05-2.0 A g?1范圍內(nèi)均保持優(yōu)異倍率性能(398.1-160.6 mAh g?1),且循環(huán)穩(wěn)定性顯著提升(1.0 A g?1250次循環(huán)后容量保持率96.9%)。微觀結(jié)構(gòu)表征揭示:SCGPSEI層更薄(6.4-8.1 nm)且富含無(wú)機(jī)成分(NaF占比94%),而SCPSEI層較厚(22.5-42.4 nm)且以有機(jī)相為主。XPS分析進(jìn)一步證實(shí)SCGPSEI層中無(wú)機(jī)物(Na?CO?Na?ONaF)比例顯著高于SCP,這與其優(yōu)異的電化學(xué)性能高度相關(guān)。



4.SCPSCGP樣品在鈉離子半電池中的電化學(xué)表征。a) 0.01-3.0 V電位范圍內(nèi)以0.1 A g?1的初始充放電曲線(xiàn)。b) SCPSCGP的斜坡容量與平臺(tái)容量對(duì)比。c) 0.1 A g?1下的循環(huán)性能。d) 倍率性能。e) 1.0 A g?1下的長(zhǎng)期循環(huán)。SCPSCGPSEI膜形成機(jī)制分析。f,g) 0.1 A g?1下循環(huán)10次后SCPSCGPHRTEM圖像。h-j) SCGP的局部放大圖像。k-m) 循環(huán)10次后的XPS譜圖。


要點(diǎn)四:基于GO介導(dǎo)的C=O催化機(jī)理研究


  本研究通過(guò)可控?zé)崽幚硐到y(tǒng)調(diào)控GO的氧官能團(tuán)(OFGs),以闡明C=O基團(tuán)在鈉存儲(chǔ)中的催化作用。熱重分析(TGA)表明,不同OFGs具有特定的分解溫度范圍,據(jù)此在160℃GO-120)、190℃GO-190)和500℃GO-500)下對(duì)GO進(jìn)行熱處理,獲得三種典型衍生物:


GO-120:保留多種OFGs;

GO-190:富含C=O基團(tuán);

GO-500:基本不含OFGs;


  FT-IRXRDRaman光譜證實(shí),OH/COOH120–190℃優(yōu)先分解,而C=O190℃下保持穩(wěn)定,直至500℃才顯著減少。XPS定量分析(式1)進(jìn)一步驗(yàn)證了OFGs的演變規(guī)律。




  半電池測(cè)試顯示,GO-190具有最高的初始庫(kù)侖效率(ICE),表明C=O基團(tuán)對(duì)ICE的提升至關(guān)重要。HRTEM表征發(fā)現(xiàn):


  GO-120/GO-500SEI層粗糙、不均勻,呈塊狀聚集GO-190SEI層均勻致密,富含無(wú)機(jī)晶體(如NaF),與SCGP負(fù)極結(jié)果一致DFT計(jì)算和AIMD模擬表明,C=ONaPF?的強(qiáng)相互作用(結(jié)合能:-1.439 eV)可促進(jìn)鹽的優(yōu)先還原(NaPF? → NaF + PF?),同時(shí)抑制溶劑分解。此外,C=O修飾的硬碳表面Na-O鍵長(zhǎng)更短,PF??吸附更緊密,有利于形成穩(wěn)定的無(wú)機(jī)SEI層。基于上述結(jié)果,提出SCGP陽(yáng)極的SEI形成機(jī)制:


  GO表面高密度的-OH-COOH通過(guò)三維氫鍵交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)了PCS邊緣活性位點(diǎn)的空間選擇性鈍化,使GO的外表面成為電解質(zhì)反應(yīng)的主要界面。殘留的C=ONaPF6表現(xiàn)出強(qiáng)烈的Lewis酸堿相互作用,可控地催化鹽的優(yōu)先還原(NaPF6→NaF+PF5),定向引導(dǎo)SEI的生長(zhǎng),形成均勻且富無(wú)機(jī)的SEI。同時(shí),通過(guò)防止過(guò)度的溶劑分解,與SCP陽(yáng)極相比,在未鈍化區(qū)域的PCS上形成了更薄的SEI層。“鈍化-催化協(xié)同策略有效解決了硬碳材料高容量與低ICE的矛盾,使SCGP陽(yáng)極的ICE提升至90.9%



5. C═O催化機(jī)制。a) GON?氣氛下的TGA曲線(xiàn)。b) GO-TFT-IR光譜。c) GO-T上三類(lèi)含氧官能團(tuán)的質(zhì)量變化。d-f) GO-T的初始充放電曲線(xiàn)。g) 不同含氧官能團(tuán)與NaPF?的結(jié)合能。h,i) 基于分子動(dòng)力學(xué)AIMD模擬的Na─OP─O鍵長(zhǎng)變化。


要點(diǎn)儲(chǔ)鈉機(jī)理研究


  通過(guò)多尺度表征手段系統(tǒng)揭示了SCGP電極的儲(chǔ)鈉機(jī)制。原位電化學(xué)阻抗譜分析表明,Na?存儲(chǔ)過(guò)程呈現(xiàn)明顯的電壓依賴(lài)性特征:在高壓區(qū)(>1.2 V),穩(wěn)定的電荷轉(zhuǎn)移電阻(97.4 Ω)對(duì)應(yīng)GO表面的Na?吸附;在1.2-1.0 V區(qū)間,阻抗顯著增加(167.1 Ω)反映Na?PCS體相的擴(kuò)散過(guò)程;而在低壓平臺(tái)區(qū)(<0.1 V),雙階段的阻抗變化分別對(duì)應(yīng)Na?的層間嵌入(0.1-0.06 V)和孔隙填充(0.06-0.01 V)行為。通過(guò)分布弛豫時(shí)間(DRT)方法解析的界面動(dòng)力學(xué)表明,SCGPSEI阻抗(RSEI)在循環(huán)過(guò)程中保持穩(wěn)定,而電荷轉(zhuǎn)移阻抗(Rct)的演變特征證實(shí)了不同儲(chǔ)鈉機(jī)制的協(xié)同作用。


  非原位結(jié)構(gòu)表征進(jìn)一步證實(shí)了上述機(jī)制:XRD顯示平臺(tái)區(qū)的(002)晶面偏移證實(shí)了Na?的層間嵌入;拉曼映射揭示了Na?GO表面吸附(綠色區(qū)域增強(qiáng))到PCS孔隙填充(紅色區(qū)域增強(qiáng))的空間演化過(guò)程;化學(xué)還原實(shí)驗(yàn)則直接觀測(cè)到準(zhǔn)金屬鈉簇的形成。密度泛函理論計(jì)算表明,GO修飾使硬碳的鈉吸附能提升至-6.63 eV,電荷密度分布分析顯示鈍化邊緣位點(diǎn)與催化石墨疇的協(xié)同作用促進(jìn)了電荷轉(zhuǎn)移,這種原子尺度的界面工程為同時(shí)實(shí)現(xiàn)高容量和優(yōu)異倍率性能提供了理論基礎(chǔ)。



6. 儲(chǔ)鈉機(jī)制分析。a) SCGP的原位EIS圖。b) 原位EIS測(cè)試中不同電位下對(duì)應(yīng)的Rctc) SCGPDRT變換。d) SCGP的非原位XRDe-h) 通過(guò)非原位拉曼映射追蹤SCGP嵌入鈉狀態(tài)的演變。i) SCPSCGPNa吸附模型的DFT計(jì)算。j) SCPSCGP的差分電荷密度平面圖。k-l) SCPSCGP的表面靜電勢(shì)(ESP)的頂視圖和平面圖。


  文

  Synergistic Dual-Engineering of Hard Carbons via Graphene Oxide Nanosheets: Enabling Ultrahigh ICE Sodium-Ion Batteries through Edge Passivation and Catalytic SEI Design

  http://doi.org/10.1002/adfm.202513551


簡(jiǎn)


  王延青特聘研究員簡(jiǎn)介:四川大學(xué)特聘研究員,博導(dǎo),四川省青年人才,國(guó)家制革技術(shù)研究推廣中心特聘專(zhuān)家,四川省專(zhuān)家服務(wù)團(tuán)專(zhuān)家。入選四川大學(xué)雙百人才工程計(jì)劃(2019-2023),日本學(xué)術(shù)振興會(huì)(JSPS)外國(guó)人特別研究員(2015-2017)。2010年碩士畢業(yè)后去日本留學(xué),于2014年獲日本北海道大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位,畢業(yè)后在北海道大學(xué)、東京大學(xué)及日本企業(yè)(日本トリム)從事納米碳材料的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究在日本期間,主持日本學(xué)術(shù)振興會(huì)(JSPS)青年學(xué)者項(xiàng)目


  2019年加入四川大學(xué)高分子科學(xué)與工程學(xué)院高材系獨(dú)立開(kāi)展研究工作,成立先進(jìn)碳與能源材料應(yīng)用研究室。主要從事超長(zhǎng)碳納米管的單分散原理、碳基材料的設(shè)計(jì)制備及其在能源、環(huán)境相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用研究,主要包括:超長(zhǎng)碳納米管在非/弱極性有機(jī)體系的分散研究、新型低添加、高倍率快充鋰電池導(dǎo)電劑、低溫鋰電池負(fù)極、鈉電池硬碳負(fù)極、電磁屏蔽/吸波材料、超級(jí)電容器、碳基導(dǎo)熱/散熱材料、柔性顯示材料、先進(jìn)高分子功能材料等,作為第一作者或通訊作者在Advanced Functional MaterialsAdvanced ScienceNano EnergyResearchACS Applied Materials & InterfacesJournal of Materials Chemistry AChemical Engineering JournalSmallJournal of Power SourcesCarbonNanoscale等期刊上發(fā)表43篇論文,累計(jì)引用2500余次。部分成果選為ESI高被引論文3篇)和期刊封面文章。


  回國(guó)后主持國(guó)家自然科學(xué)基金委NSAF聯(lián)合基金重點(diǎn)項(xiàng)目課題、人社部中國(guó)留學(xué)人員回國(guó)創(chuàng)業(yè)啟動(dòng)支持計(jì)劃(重點(diǎn)類(lèi))、四川省科技廳國(guó)際科技創(chuàng)新合作項(xiàng)目、四川大學(xué)高層次人才引進(jìn)項(xiàng)目、校地合作項(xiàng)目(自貢、遂寧)、企業(yè)項(xiàng)目等近10項(xiàng)。申請(qǐng)、授權(quán)中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利30余項(xiàng)、美國(guó)專(zhuān)利2項(xiàng)、日本專(zhuān)利2項(xiàng)。研究成果獲得了山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、國(guó)家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金、中國(guó)專(zhuān)利優(yōu)秀獎(jiǎng)(2項(xiàng))、山東省專(zhuān)利獎(jiǎng)、第二屆全國(guó)博士后創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽銅獎(jiǎng)、四川省特聘專(zhuān)家JSPS外國(guó)青年學(xué)者研究獎(jiǎng)勵(lì)、北海道大學(xué)私費(fèi)外國(guó)人留學(xué)生特待制度、四川大學(xué)優(yōu)秀科技人才獎(jiǎng),入選四川省天府峨眉計(jì)劃創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才、蓉漂計(jì)劃、江蘇省雙創(chuàng)人才、鹽都特聘專(zhuān)家等2024-2025年受邀在江蘇省常州市新北區(qū)科技局掛職副局長(zhǎng)。


  課題組主頁(yè):https://www.x-mol.com/groups/wangyanqing

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