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  全球能源需求的持續(xù)增長(zhǎng)以及對(duì)碳中和的迫切需求，促使先進(jìn)電池技術(shù)成為可持續(xù)能源研究的核心領(lǐng)域，尤其是在可再生能源系統(tǒng)與電氣化交通的大規(guī)模整合方面。在眾多新興電化學(xué)儲(chǔ)能技術(shù)中，鈉離子電池（SIBs）憑借鈉資源的天然富集性、成本效益以及環(huán)境友好性，已成為鋰離子電池技術(shù)的可行替代方案。SIBs的商業(yè)化可行性在很大程度上依賴(lài)于電極材料創(chuàng)新的突破，尤其是高性能負(fù)極的開(kāi)發(fā)，其需在成本效率比上實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。

  硬碳負(fù)極因其卓越的電化學(xué)性能，被廣泛視為SIBs最具潛力的候選材料之一。然而，傳統(tǒng)硬碳結(jié)構(gòu)中固有的高活性邊緣位點(diǎn)（如缺陷、開(kāi)孔和氧官能團(tuán)）易引發(fā)寄生反應(yīng)，導(dǎo)致電解質(zhì)過(guò)度分解。這一現(xiàn)象使得固態(tài)電解質(zhì)界面（SEI）層在初始充放電過(guò)程中不受控地生長(zhǎng)，進(jìn)而大量消耗鈉離子，降低初始庫(kù)侖效率（ICE，通常約為60%）和可逆容量。當(dāng)前的緩解策略主要集中在通過(guò)結(jié)構(gòu)修飾鈍化邊緣位點(diǎn)。然而，當(dāng)前的界面工程策略面臨著一個(gè)內(nèi)在的性能悖論：盡管減少邊緣位點(diǎn)可抑制SEI層的形成，但會(huì)相應(yīng)降低可逆容量（<300 mAh g?1）；相反，保留大量活性位點(diǎn)的邊緣結(jié)構(gòu)雖能增強(qiáng)容量（>400 mAh g?1），但會(huì)加劇初始庫(kù)侖效率的惡化（<60%）。這一矛盾凸顯了開(kāi)發(fā)創(chuàng)新策略以平衡這些相互競(jìng)爭(zhēng)因素的必要性。

  界面化學(xué)的最新研究進(jìn)展表明，含氧官能團(tuán)在調(diào)節(jié)電極-電解質(zhì)相互作用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。這些官能團(tuán)主要分布在碳材料的邊緣位置，可通過(guò)氫鍵作用、離子配位以及π共軛效應(yīng)與其他材料實(shí)現(xiàn)界面結(jié)合。這種多功能特性為在保持足夠鈉儲(chǔ)存容量的同時(shí)鈍化活性邊緣位點(diǎn)提供了獨(dú)特機(jī)遇。然而，如何精確調(diào)控這些界面相互作用，以實(shí)現(xiàn)SEI穩(wěn)定性與容量保持之間的最佳平衡，仍是亟待解決的科學(xué)難題。

  基于此，四川大學(xué)王延青特聘研究員課題組，在國(guó)際知名期刊Advanced Functional Materials上發(fā)表題為“Synergistic Dual-Engineering of Hard Carbons via Graphene Oxide Nanosheets: Enabling Ultrahigh ICE Sodium-Ion Batteries through Edge Passivation and Catalytic SEI Design”的研究論文。四川大學(xué)高分子科學(xué)與工程學(xué)院博士研究生黃港為文章第一作者，華南理工大學(xué)生物醫(yī)學(xué)科學(xué)與工程學(xué)院博士研究生胡杰為文章共同第一作者，四川大學(xué)王延青特聘研究員為文章通訊作者。

  在本研究中，采用氧化石墨烯（GO）納米片對(duì)硬碳材料邊緣進(jìn)行鈍化處理，并通過(guò)構(gòu)建多維協(xié)同的分子間相互作用網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)邊緣位點(diǎn)的原子級(jí)精度調(diào)控。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)引入單壁碳納米管（SWCNTs）構(gòu)筑三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，進(jìn)一步制備出高性能、無(wú)集流體自支撐的硬碳負(fù)極。具體而言，GO表面豐富的含氧官能團(tuán)（-OH / -COOH）能夠形成與硬碳邊緣位點(diǎn)的強(qiáng)氫鍵網(wǎng)絡(luò)，有效鈍化活性位點(diǎn)，同時(shí)顯著提升材料的機(jī)械柔韌性。更為關(guān)鍵的是，分布在GO納米片間的羰基（C=O）基團(tuán)可作為選擇性吸附位點(diǎn)，借助Lewis酸堿相互作用優(yōu)先催化NaPF?的分解，從而誘導(dǎo)形成以NaF為主要無(wú)機(jī)組分且呈梯度分布的SEI層。將該材料作為SIBs負(fù)極時(shí)，電極展現(xiàn)出高可逆容量（在0.1 A g?1下為441.3 mAh g?1；在4.6 mg cm?2的高負(fù)載量下， ICE達(dá)90.9%）以及優(yōu)異的倍率性能（在2.0 A g?1下為161.1 mAh g?1）。這種“鈍化-催化”雙功能機(jī)制的協(xié)同作用，成功打破了硬碳材料可逆容量與ICE之間的相互制約關(guān)系。本工作提出的GO納米片界面改性策略可通過(guò)調(diào)節(jié)GO官能團(tuán)的類(lèi)型和空間分布，適用于不同前驅(qū)體制備的硬碳材料，為高性?xún)r(jià)比的SIBs負(fù)極提供了一條創(chuàng)新的技術(shù)途徑。

本文要點(diǎn)

要點(diǎn)一：基于GO介導(dǎo)的鈍化-催化策略制備超高初始庫(kù)侖效率硬碳材料

圖1. a）SWCNT/GO/PCS（SCGP）復(fù)合材料的合成示意圖。B）通過(guò)GO納米片對(duì)硬碳的邊緣活性位點(diǎn)改性的示意圖。SEM圖像：c，d）SWCNT/PCS（SCP）和SCGP復(fù)合材料。TEM圖像：e，f）SCP和SCGP復(fù)合材料。HRTEM圖像：g，i）SCP和SCGP。h，j）SCP和SCGP復(fù)合材料的STEM圖像和EDS元素分布圖

  采用改進(jìn)的Hummers法制備GO。而介孔硬碳（PCS）通過(guò)膠束溶劑誘導(dǎo)自組裝方法合成，直徑約200 nm，表面富含孔隙和邊緣位點(diǎn)，且有大量羥基和羧基官能團(tuán)。基于GO表面的含氧官能團(tuán)，GO納米片可通過(guò)氫鍵牢固吸附于PCS邊緣。DFT計(jì)算表明，GO表面的羧基與PCS邊緣的羥基之間形成穩(wěn)定氫鍵，同時(shí)GO片層上的羥基與PCS邊緣的羧基之間也存在顯著成鍵相互作用。這種多級(jí)氫鍵協(xié)同效應(yīng)實(shí)現(xiàn)了GO在PCS邊緣的化學(xué)錨定，形成的三維氫鍵網(wǎng)絡(luò)有效鈍化了PCS邊緣的活性位點(diǎn)，并提高了復(fù)合材料的力學(xué)性能和柔性。此外，GO中的羰基（C=O）可作為催化活性中心，促進(jìn)鈉鹽的優(yōu)先還原，形成均勻且富含無(wú)機(jī)成分的SEI層。為了優(yōu)化電荷傳輸動(dòng)力學(xué)，進(jìn)一步將SWCNTs引入GO/PCS復(fù)合結(jié)構(gòu)的外層，構(gòu)建三維導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，制備出自支撐復(fù)合材料（記為SCGP）。SEM結(jié)果顯示，未引入GO的PCS在SWCNTs網(wǎng)絡(luò)中明顯聚集，PCS表面活性位點(diǎn)直接暴露于電解質(zhì)中。相比之下，經(jīng)GO界面修飾后的SCGP中，PCS均勻分散，邊緣區(qū)域被GO納米片選擇性覆蓋。TEM進(jìn)一步證實(shí)了這種空間約束效應(yīng)。HRTEM圖像清晰展示了GO與PCS邊緣之間的多維協(xié)同氫鍵網(wǎng)絡(luò)，有效鈍化了大量邊緣活性位點(diǎn)。定量EDS分析表明，SCGP中的氧含量較未修飾的PCS體系顯著增加，證實(shí)了GO界面修飾誘導(dǎo)的氧元素梯度富集效應(yīng)。

圖2. a）GO的-COOH與PCS的-OH、GO的-OH與PCS的-COOH的結(jié)合能。B）FTIR光譜。c）XRD圖譜。c）拉曼光譜。d）N₂吸附-脫附等溫線(xiàn)。f）SAXS曲線(xiàn)。g）彎曲性能測(cè)試。h）拉伸應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)。i）壓縮性能測(cè)試。

要點(diǎn)二：基于GO介導(dǎo)的鈍化增韌機(jī)理研究

圖3. a,b) 顯示SCP和SCGP半峰全寬（FWHM）的WAXS圖譜。c) SCP和SCGP的FWHM對(duì)比。d) 通過(guò)原位應(yīng)變調(diào)制拉曼光譜獲得的拉曼G峰頻移對(duì)應(yīng)變的依賴(lài)性。e) 根據(jù)分子動(dòng)力學(xué)模擬的GO對(duì)SCGP的增韌機(jī)制。f) 增韌機(jī)制示意圖。

  為了深入探究微觀力學(xué)響應(yīng)機(jī)制，采用了原位應(yīng)變調(diào)制拉曼光譜，通過(guò)分析彎曲應(yīng)變誘導(dǎo)的拉曼G波段頻率變化，揭示樣品所承受的應(yīng)力及其對(duì)應(yīng)變的依賴(lài)性。結(jié)果顯示，SCP樣品在30°彎曲時(shí)僅表現(xiàn)出2.7-3.0 cm?1范圍內(nèi)的G峰藍(lán)移，且在達(dá)到平臺(tái)區(qū)域后，進(jìn)一步增加彎曲應(yīng)變并未使應(yīng)力傳遞至SCP。相比之下， SCG體系的拉曼光譜表現(xiàn)出更為復(fù)雜的特征：在60°彎曲應(yīng)變前，G峰上移6.3 cm?1，隨后在60°至150°彎曲應(yīng)變區(qū)間保持平臺(tái)，之后又出現(xiàn)額外的15 cm?1的拉曼頻率上移。值得注意的是，SCGP展現(xiàn)出理想的線(xiàn)性應(yīng)力-應(yīng)變傳遞特性，表現(xiàn)為連續(xù)的G峰位移6 cm?1。這一結(jié)果表明，SCP和SCG的應(yīng)力-應(yīng)變曲線(xiàn)中的平臺(tái)區(qū)域源于SWCNTs與PCS及GO之間的滑動(dòng)行為，而這種滑動(dòng)在SCGP中被有效抑制。這是由于GO與PCS邊緣之間形成的三維氫鍵交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，不僅實(shí)現(xiàn)了應(yīng)力場(chǎng)的均勻分布，還通過(guò)邊緣鈍化機(jī)制顯著增強(qiáng)了材料的力學(xué)性能。進(jìn)一步的分子動(dòng)力學(xué)模擬揭示了SCGP的協(xié)同增韌機(jī)制：在拉伸初期，PCS邊緣與GO之間的氫鍵網(wǎng)絡(luò)通過(guò)動(dòng)態(tài)重配置機(jī)制有效分散外部應(yīng)力，延遲裂紋擴(kuò)展；同時(shí)，氫鍵網(wǎng)絡(luò)通過(guò)分子錨固效應(yīng)抑制GO片層的滑動(dòng)，進(jìn)一步阻礙裂紋擴(kuò)展。隨著拉伸的繼續(xù)，GO與PCS之間的氫鍵被拉伸，從而增加材料的韌性，直至SCGP完全斷裂。這種“滑動(dòng)抑制-應(yīng)力消散-裂紋阻斷”的多級(jí)協(xié)同機(jī)制賦予了SCGP材料卓越的力學(xué)性能），使其在高強(qiáng)度和高柔韌性方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。

要點(diǎn)三：電化學(xué)性能和界面研究

  本研究采用半電池結(jié)構(gòu)評(píng)估了SCP型和SCGP型樣品的Na?存儲(chǔ)性能。恒流充放電測(cè)試（0.1 A g?1）顯示，兩種負(fù)極均呈現(xiàn)典型的硬碳特征曲線(xiàn)，包含兩個(gè)Na?存儲(chǔ)區(qū)域：斜率區(qū)（>0.1 V，對(duì)應(yīng)Na?吸附/解吸）和低壓平臺(tái)區(qū)（<0.1 V，源于準(zhǔn)金屬態(tài)填充和部分插層）。SCGP展現(xiàn)出顯著優(yōu)化的電化學(xué)性能，其可逆容量達(dá)401.4 mAh g?1（ICE=90.9%），遠(yuǎn)優(yōu)于SCP的242.4 mAh g?1（ICE=67.1%）。性能提升主要?dú)w因于：1）邊緣活性位點(diǎn)定向鈍化降低副反應(yīng)（36.9%容量來(lái)自平臺(tái)區(qū)）；2）氧化石墨烯界面工程構(gòu)建的氫鍵網(wǎng)絡(luò)促進(jìn)封閉孔隙形成。

  倍率測(cè)試表明，SCGP在0.05-2.0 A g?1范圍內(nèi)均保持優(yōu)異倍率性能（398.1-160.6 mAh g?1），且循環(huán)穩(wěn)定性顯著提升（1.0 A g?1下250次循環(huán)后容量保持率96.9%）。微觀結(jié)構(gòu)表征揭示：SCGP的SEI層更薄（6.4-8.1 nm）且富含無(wú)機(jī)成分（NaF占比94%），而SCP的SEI層較厚（22.5-42.4 nm）且以有機(jī)相為主。XPS分析進(jìn)一步證實(shí)SCGP的SEI層中無(wú)機(jī)物（Na?CO?、Na?O、NaF）比例顯著高于SCP，這與其優(yōu)異的電化學(xué)性能高度相關(guān)。

圖4.SCP和SCGP樣品在鈉離子半電池中的電化學(xué)表征。a) 在0.01-3.0 V電位范圍內(nèi)以0.1 A g?1的初始充放電曲線(xiàn)。b) SCP和SCGP的斜坡容量與平臺(tái)容量對(duì)比。c) 0.1 A g?1下的循環(huán)性能。d) 倍率性能。e) 1.0 A g?1下的長(zhǎng)期循環(huán)。SCP和SCGP的SEI膜形成機(jī)制分析。f,g) 在0.1 A g?1下循環(huán)10次后SCP和SCGP的HRTEM圖像。h-j) SCGP的局部放大圖像。k-m) 循環(huán)10次后的XPS譜圖。

要點(diǎn)四：基于GO介導(dǎo)的C=O催化機(jī)理研究

  本研究通過(guò)可控?zé)崽幚硐到y(tǒng)調(diào)控GO的氧官能團(tuán)（OFGs），以闡明C=O基團(tuán)在鈉存儲(chǔ)中的催化作用。熱重分析（TGA）表明，不同OFGs具有特定的分解溫度范圍，據(jù)此在160℃（GO-120）、190℃（GO-190）和500℃（GO-500）下對(duì)GO進(jìn)行熱處理，獲得三種典型衍生物：

GO-120：保留多種OFGs;

GO-190：富含C=O基團(tuán);

GO-500：基本不含OFGs;

  FT-IR、XRD和Raman光譜證實(shí)，OH/COOH在120–190℃優(yōu)先分解，而C=O在190℃下保持穩(wěn)定，直至500℃才顯著減少。XPS定量分析（式1）進(jìn)一步驗(yàn)證了OFGs的演變規(guī)律。

  半電池測(cè)試顯示，GO-190具有最高的初始庫(kù)侖效率（ICE），表明C=O基團(tuán)對(duì)ICE的提升至關(guān)重要。HRTEM表征發(fā)現(xiàn)：

  GO-120/GO-500：SEI層粗糙、不均勻，呈塊狀聚集；GO-190：SEI層均勻致密，富含無(wú)機(jī)晶體（如NaF），與SCGP負(fù)極結(jié)果一致。DFT計(jì)算和AIMD模擬表明，C=O與NaPF?的強(qiáng)相互作用（結(jié)合能：-1.439 eV）可促進(jìn)鹽的優(yōu)先還原（NaPF? → NaF + PF?），同時(shí)抑制溶劑分解。此外，C=O修飾的硬碳表面Na-O鍵長(zhǎng)更短，PF??吸附更緊密，有利于形成穩(wěn)定的無(wú)機(jī)SEI層。基于上述結(jié)果，提出SCGP陽(yáng)極的SEI形成機(jī)制：

  GO表面高密度的-OH和-COOH通過(guò)三維氫鍵交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)了PCS邊緣活性位點(diǎn)的空間選擇性鈍化，使GO的外表面成為電解質(zhì)反應(yīng)的主要界面。殘留的C=O與NaPF₆表現(xiàn)出強(qiáng)烈的Lewis酸堿相互作用，可控地催化鹽的優(yōu)先還原（NaPF₆→NaF+PF₅），定向引導(dǎo)SEI的生長(zhǎng)，形成均勻且富無(wú)機(jī)的SEI。同時(shí)，通過(guò)防止過(guò)度的溶劑分解，與SCP陽(yáng)極相比，在未鈍化區(qū)域的PCS上形成了更薄的SEI層。該“鈍化-催化”協(xié)同策略有效解決了硬碳材料高容量與低ICE的矛盾，使SCGP陽(yáng)極的ICE提升至90.9%。

圖5. C═O催化機(jī)制。a) GO在N?氣氛下的TGA曲線(xiàn)。b) GO-T的FT-IR光譜。c) GO-T上三類(lèi)含氧官能團(tuán)的質(zhì)量變化。d-f) GO-T的初始充放電曲線(xiàn)。g) 不同含氧官能團(tuán)與NaPF?的結(jié)合能。h,i) 基于分子動(dòng)力學(xué)AIMD模擬的Na─O和P─O鍵長(zhǎng)變化。

要點(diǎn)五：儲(chǔ)鈉機(jī)理研究

  通過(guò)多尺度表征手段系統(tǒng)揭示了SCGP電極的儲(chǔ)鈉機(jī)制。原位電化學(xué)阻抗譜分析表明，Na?存儲(chǔ)過(guò)程呈現(xiàn)明顯的電壓依賴(lài)性特征：在高壓區(qū)（>1.2 V），穩(wěn)定的電荷轉(zhuǎn)移電阻（97.4 Ω）對(duì)應(yīng)GO表面的Na?吸附；在1.2-1.0 V區(qū)間，阻抗顯著增加（167.1 Ω）反映Na?向PCS體相的擴(kuò)散過(guò)程；而在低壓平臺(tái)區(qū)（<0.1 V），雙階段的阻抗變化分別對(duì)應(yīng)Na?的層間嵌入（0.1-0.06 V）和孔隙填充（0.06-0.01 V）行為。通過(guò)分布弛豫時(shí)間（DRT）方法解析的界面動(dòng)力學(xué)表明，SCGP的SEI阻抗（R_SEI）在循環(huán)過(guò)程中保持穩(wěn)定，而電荷轉(zhuǎn)移阻抗（R_ct）的演變特征證實(shí)了不同儲(chǔ)鈉機(jī)制的協(xié)同作用。

  非原位結(jié)構(gòu)表征進(jìn)一步證實(shí)了上述機(jī)制：XRD顯示平臺(tái)區(qū)的（002）晶面偏移證實(shí)了Na?的層間嵌入；拉曼映射揭示了Na?從GO表面吸附（綠色區(qū)域增強(qiáng)）到PCS孔隙填充（紅色區(qū)域增強(qiáng)）的空間演化過(guò)程；化學(xué)還原實(shí)驗(yàn)則直接觀測(cè)到準(zhǔn)金屬鈉簇的形成。密度泛函理論計(jì)算表明，GO修飾使硬碳的鈉吸附能提升至-6.63 eV，電荷密度分布分析顯示鈍化邊緣位點(diǎn)與催化石墨疇的協(xié)同作用促進(jìn)了電荷轉(zhuǎn)移，這種原子尺度的界面工程為同時(shí)實(shí)現(xiàn)高容量和優(yōu)異倍率性能提供了理論基礎(chǔ)。

圖6. 儲(chǔ)鈉機(jī)制分析。a) SCGP的原位EIS圖。b) 原位EIS測(cè)試中不同電位下對(duì)應(yīng)的Rct。c) SCGP的DRT變換。d) SCGP的非原位XRD。e-h) 通過(guò)非原位拉曼映射追蹤SCGP嵌入鈉狀態(tài)的演變。i) SCP和SCGP的Na吸附模型的DFT計(jì)算。j) SCP和SCGP的差分電荷密度平面圖。k-l) SCP和SCGP的表面靜電勢(shì)（ESP）的頂視圖和平面圖。

  文章鏈接

  Synergistic Dual-Engineering of Hard Carbons via Graphene Oxide Nanosheets: Enabling Ultrahigh ICE Sodium-Ion Batteries through Edge Passivation and Catalytic SEI Design

  http://doi.org/10.1002/adfm.202513551

通訊作者簡(jiǎn)介

  王延青特聘研究員簡(jiǎn)介：四川大學(xué)特聘研究員，博導(dǎo)，四川省青年人才，國(guó)家制革技術(shù)研究推廣中心特聘專(zhuān)家，四川省專(zhuān)家服務(wù)團(tuán)專(zhuān)家。入選四川大學(xué)“雙百人才工程”計(jì)劃（2019-2023），日本學(xué)術(shù)振興會(huì)（JSPS）外國(guó)人特別研究員（2015-2017）。2010年碩士畢業(yè)后去日本留學(xué)，于2014年獲日本北海道大學(xué)理學(xué)博士學(xué)位，畢業(yè)后在北海道大學(xué)、東京大學(xué)及日本企業(yè)（日本トリム）從事納米碳材料的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究。在日本期間，主持日本學(xué)術(shù)振興會(huì)（JSPS）青年學(xué)者項(xiàng)目。

  2019年加入四川大學(xué)高分子科學(xué)與工程學(xué)院高材系獨(dú)立開(kāi)展研究工作，成立先進(jìn)碳與能源材料應(yīng)用研究室。主要從事超長(zhǎng)碳納米管的單分散原理、碳基材料的設(shè)計(jì)制備及其在能源、環(huán)境相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用研究，主要包括：超長(zhǎng)碳納米管在非/弱極性有機(jī)體系的分散研究、新型低添加、高倍率快充鋰電池導(dǎo)電劑、低溫鋰電池負(fù)極、鈉電池硬碳負(fù)極、電磁屏蔽/吸波材料、超級(jí)電容器、碳基導(dǎo)熱/散熱材料、柔性顯示材料、先進(jìn)高分子功能材料等，作為第一作者或通訊作者在Advanced Functional Materials、Advanced Science、Nano Energy、Research、ACS Applied Materials & Interfaces、Journal of Materials Chemistry A、Chemical Engineering Journal、Small、Journal of Power Sources、Carbon、Nanoscale等期刊上發(fā)表43篇論文，累計(jì)引用2500余次。部分成果選為ESI高被引論文（3篇）和期刊封面文章。

  回國(guó)后主持國(guó)家自然科學(xué)基金委NSAF聯(lián)合基金重點(diǎn)項(xiàng)目課題、人社部中國(guó)留學(xué)人員回國(guó)創(chuàng)業(yè)啟動(dòng)支持計(jì)劃（重點(diǎn)類(lèi)）、四川省科技廳國(guó)際科技創(chuàng)新合作項(xiàng)目、四川大學(xué)高層次人才引進(jìn)項(xiàng)目、校地合作項(xiàng)目（自貢、遂寧）、企業(yè)項(xiàng)目等近10項(xiàng)。申請(qǐng)、授權(quán)中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利30余項(xiàng)、美國(guó)專(zhuān)利2項(xiàng)、日本專(zhuān)利2項(xiàng)。研究成果獲得了山東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、國(guó)家優(yōu)秀自費(fèi)留學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金、中國(guó)專(zhuān)利優(yōu)秀獎(jiǎng)（2項(xiàng)）、山東省專(zhuān)利獎(jiǎng)、第二屆全國(guó)博士后創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽銅獎(jiǎng)、四川省特聘專(zhuān)家、JSPS外國(guó)青年學(xué)者研究獎(jiǎng)勵(lì)、北海道大學(xué)私費(fèi)外國(guó)人留學(xué)生特待制度、四川大學(xué)優(yōu)秀科技人才獎(jiǎng)，入選四川省天府峨眉計(jì)劃創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才、蓉漂計(jì)劃、江蘇省雙創(chuàng)人才、鹽都特聘專(zhuān)家等。2024-2025年受邀在江蘇省常州市新北區(qū)科技局掛職副局長(zhǎng)。

  課題組主頁(yè)：https://www.x-mol.com/groups/wangyanqing