私密直播全婐app免费大渔直播,国产av成人无码免费视频,男女同房做爰全过程高潮,国产精品自产拍在线观看

    上海光源BL14B1衍射線站作為通用衍射研究平臺(tái)，可以為用戶提供高角衍射、掠入射衍射、反射率、漫散射、倒易空間強(qiáng)度繪制(Reciprocal Space Mapping)、極圖等實(shí)驗(yàn)方法；研究對(duì)象涵蓋多晶粉末、單晶及多晶薄膜和塊體樣品，無(wú)機(jī)和有機(jī)樣品，固態(tài)和液態(tài)樣品；為凝聚態(tài)物理、材料科學(xué)、化學(xué)、高分子、地質(zhì)等領(lǐng)域的用戶提供了優(yōu)質(zhì)高效的結(jié)構(gòu)研究平臺(tái)。在衍射線站工作人員的積極配合和努力下，用戶在聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體分子薄膜和鐵電薄膜等研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，成果分別于近期發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)頂尖期刊Journal of the American Chemical Society和Wiley公司出版的材料化學(xué)重要期刊Advanced Materials 和Advanced Functional Materials等雜志上。

 

    為了替代基于無(wú)定形的硅薄膜晶體管材料，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管取得了很大的發(fā)展。比起小分子半導(dǎo)體材料，聚合物材料具有溶液可加工性，更好的機(jī)械性能和熱力學(xué)穩(wěn)定性。小分子場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究已經(jīng)取得了很大的進(jìn)展，然而聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究則比較滯后。傳統(tǒng)的聚合物場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究主要是基于聚噻吩類化合物，它們雖然表現(xiàn)出了比較高的遷移率，但是他們?cè)诳諝庵械姆�(wěn)定性比較差，遷移率下降很快。

    北京大學(xué)裴堅(jiān)教授課題組設(shè)計(jì)并合成了基于異靛青類分子的兩個(gè)聚合物IIDDT和IIDT，IIDDT分子表現(xiàn)出了很高的遷移率，達(dá)到0.79 cm² V^-1 s^-1，同時(shí)也表現(xiàn)出了很好的空氣穩(wěn)定性，可放在濕度達(dá)60%的空氣中穩(wěn)定長(zhǎng)達(dá)6個(gè)月之久。在上海光源衍射實(shí)驗(yàn)站利用掠入射X射線衍射發(fā)現(xiàn)，之所以IIDDT表現(xiàn)出比IIDT高出一個(gè)數(shù)量級(jí)的遷移率，是由于該聚合物具有較高的對(duì)稱性，有利于面內(nèi)π-π堆積和面外的層狀相得形成。如圖1所示，IIDDT薄膜有四個(gè)很強(qiáng)的衍射峰，表明薄膜具有側(cè)立薄層狀堆積結(jié)構(gòu)。而IIDT薄膜只有很弱的彌散衍射環(huán)，表明其具有相對(duì)非晶的結(jié)構(gòu)。該成果發(fā)表在國(guó)際化學(xué)頂尖雜志J. Am. Chem. Soc.（2011, 133 (16):6099–6101 DOI：10.1021/ja111066r）上。

 

    分子尺度超薄膜恰是有機(jī)半導(dǎo)體材料科學(xué)目前研究的要點(diǎn)，在建立薄膜的結(jié)構(gòu)與功能關(guān)系、軟物質(zhì)結(jié)構(gòu)的納米尺度熱力學(xué)穩(wěn)定性、高品質(zhì)有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的分子設(shè)計(jì)和制備方法等方面發(fā)揮重要作用。

    中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春應(yīng)用化學(xué)物理研究所閻東航研究員課題組首先采用兩種晶胞參數(shù)存在明顯差異的棒狀小分子BPTT和BPPh進(jìn)行共沉積。在上海光源衍射站利用X射線衍射研究不同比例共沉積薄膜的平面內(nèi)結(jié)構(gòu)，可以看到每個(gè)衍射峰為單峰，沒(méi)有發(fā)生峰形分裂，說(shuō)明系列共沉積薄膜為均一結(jié)構(gòu)的薄膜，并且隨著BPTT和BPPh比例變化，衍射峰位置發(fā)生漂移(圖2g)，平面內(nèi)晶面間距隨組分比例的變化線性變化(圖2h)。研究成果發(fā)表在Adv. Mater.（2011, 23, 3455–3459. DOI：10.1002/adma.201101353）。

 

    鐵酸鉍BiFeO₃是一種新型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的多鐵材料，其在室溫下同時(shí)具有電有序和磁有序，在高密度存儲(chǔ)、磁電讀寫的新型記憶元件等方面存在潛在的應(yīng)用前景。

    制成薄膜后，BiFeO₃的結(jié)構(gòu)受襯底引起的外延應(yīng)力影響很大。新加坡光源楊平教授同南洋理工大學(xué)陳朗博士合作，在上海光源測(cè)試了在不同襯底上生長(zhǎng)的BiFeO₃薄膜的倒易空間Mapping，仔細(xì)研究了多鐵性BiFeO₃薄膜的外延應(yīng)力引起的結(jié)構(gòu)相變研究。通過(guò)分析同步輻射倒易空間圖，發(fā)現(xiàn)BiFeO₃亞穩(wěn)偽四方相(T-like)實(shí)際上是Mc型單斜相，低對(duì)稱性的單斜相有望進(jìn)一步提高BiFeO₃薄膜的壓電和磁電耦合性能。通過(guò)該研究還確定了外延應(yīng)力引起B(yǎng)iFeO₃薄膜極化轉(zhuǎn)動(dòng)的路徑，如圖3(b)所示。研究成果發(fā)表在Adv. Funct. Mater.（2011, 21, 133-138. (DOI：10.1002/adfm.201101970）。

圖1.(a)IIDDT和(b)IIDT的掠入射衍射圖樣；(c)IIDDT和(d)IIDT的AFM高度圖

圖2. 共沉積薄膜(a) BPTT:BPPh(2:1)；(b) BPTT:BPPh(1:1)；(c) BPTT:BPPh(1:2)原子力形貌圖；(f) BPTT:BPPh(1:1)薄膜選區(qū)電子衍射圖譜；(g)不同組分比例的BPTT:BPPh共沉積薄膜(5 nm)平面內(nèi)掠入射X射線衍射圖譜；(h)共沉積薄膜的晶胞參數(shù)隨組分比例的變化關(guān)系。

圖3. (a)LaAlO₃ 襯底上生長(zhǎng)的BiFeO₃薄膜的(103)倒格點(diǎn)附近的倒空間mapping；(b)外延應(yīng)力引起的極化轉(zhuǎn)動(dòng)路徑圖。