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一種新型反應室的分析與實驗

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對振動陰極上粉體的運動分析表明粉粒在陰極表面停留的時間與陰極表面傾斜角、氣體反吹速度和粉粒大小等有關，其停留時間可達10min以上。用這種等離子反應室對硅粉刻蝕，可在硅粉流經反應室一次即可刻蝕200nm的表面厚度。這意味著純化硅粉的任務能一次完成。實驗結果表明新反應室比常規反應室具有很大的優點。

作者：

尹盛，王敬義，趙亮，趙伯芳

上傳時間：

2008-05-16 15:14:28

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