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Na2SiO3-Na2WO4-丙三醇電解液中Na2SiO3對ZAlSi12Cu2Mg1 微弧氧化膜形成的影響

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關鍵詞：

Na2SiO3 含量 ZAlSi12Cu2Mg1 穩定氧化時間陶瓷膜層

資料大小：

277K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

電解液組成對微弧氧化陶瓷膜的形成具有重要作用。在Na2SiO3-Na2WO4-丙三醇復合電解液體系下，對ZAlSi12Cu2Mg1合金微弧氧化陶瓷膜的形成進行研究，通過改變Na2SiO3的含量，研究了其對微弧氧化的臨界起弧電壓、穩定氧化時間、陶瓷膜層厚度、膜層生長速率和陶瓷膜層相組成的影響。結果表明：Na2SiO3含量從6g/L到12g/L變化時，膜層厚度從154μm逐漸增加到174μm；穩定氧化時間由27min縮短為18min；膜層生長速率約從5.70μm/min提高到9.67μm/min；但Na2SiO3含量超過12g/L時，膜層厚度卻不再增加了；當Na2SiO3含量為14g/L時，膜層厚度為166μm；當Na2SiO3含量為8g/L時，臨界起弧正向電壓達385V，負向電壓達最低值為27V。XRD分析表明：陶瓷膜層中含有莫來石、SiO2、α-Al2O3和γ-Al2O3相，陶瓷膜層的莫來石、SiO2、α-Al2O3和γ-Al2O3相含量隨電解液Na2SiO3含量變化而變化。

作者：

劉彩文，劉向東，劉永珍，韓春霞，王曉軍，張雅萍

上傳時間：

2008-05-21 15:14:47

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peter007007 2009-11-12 12:27:11

very good

peter007007 2009-11-12 12:27:09

very good

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