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磁性納米膜微波高磁導(dǎo)率理論與實驗研究

資料類型：

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關(guān)鍵詞：

微波磁導(dǎo)率納米膜磁各向異性交換耦合作用電阻率軟磁性能磁性薄膜

資料大小：

550K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

磁性納米膜的應(yīng)用涉及磁記錄頭、微電感、微變壓器、電磁噪聲消除器、高頻磁傳感器等，其核心材料是軟磁薄膜，要求其具有高的磁導(dǎo)率并能保持到幾百MHz甚至GHz微波頻段。為了獲得滿足要求的高磁導(dǎo)率和頻率響應(yīng)特性磁性納米膜，本文分別從機理和實驗研究角度，系統(tǒng)研究了磁性納米膜的高磁導(dǎo)率理論。首先從理論研究角度，系統(tǒng)研究了單層納米膜和納米顆粒膜的微波高磁導(dǎo)率機理。單層納米膜高磁導(dǎo)率主要取決于高飽和磁化強度和面內(nèi)可調(diào)的各向異性。從納米層次對納米顆粒膜的交換耦合開展了深入的研究，應(yīng)用微磁學(xué)分析了交換耦合作用的物理圖像，交換耦合對克服退磁效應(yīng)、提高微波磁導(dǎo)率和磁損耗、提高電阻率等方面都起到關(guān)鍵作用。其次從計算模擬角度，深入分析了納米膜的交換耦合、各向異性、逾滲閾值、電阻率等主要因素對納米膜微波磁導(dǎo)率作用。為獲得具有微波磁導(dǎo)率和兼顧高電阻率的磁性納米膜，在逾滲閾值附近，進行了納米膜的電阻率與磁導(dǎo)率相關(guān)性研究。最后，從典型磁性納米膜制備工藝角度，研究了濺射沉積的Fe40Co40B20合金薄膜單層納米膜和采用順序沉積Co40Fe40B20/SiO2不連續(xù)多層納米顆粒膜，對高磁導(dǎo)率機理進行了實驗驗證。

作者：

何華輝，江建軍

上傳時間：

2008-08-25 14:34:43

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wohenni 2009-04-12 15:14:42

有實用性，有研究價值

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