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磁控反應濺射制備的Ta2O5 薄膜的光學與介電性能

資料類型：

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關鍵詞：

氧化鉭薄膜光學性質介電譜

資料大?。?/td>

256K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用直流磁控反應濺射技術，在不同的Ar/O2比條件下制備了系列Ta2O5薄膜樣品，采用紫外-可見光透射光譜和橢偏光譜測試分析技術，研究了Ta2O5薄膜在可見光范圍內的透射率、折射率和消光系數；同時還采用HP4192A阻抗分析儀測試分析了樣品在500Hz～13MHz頻段的介電譜，結果表明在300～700nm的可見光波長范圍內，氧化鉭薄膜的消光系數k→0，折射率n＞2.0，透射率大約80%。500Hz下的低頻介電常數ε的典型值為20.1。損耗角正切tg為19.9。

作者：

張幸福，魏愛香，劉毅

上傳時間：

2008-08-27 16:18:44

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相關評論 共有1人發表評論

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chczll 2008-11-18 10:54:10

很有用,謝謝

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