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CrSi2能帶結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究

資料類型：

PDF文件

關(guān)鍵詞：

CrSi2 電子結(jié)構(gòu) 光學(xué)性質(zhì) 第一性原理

資料大小：

447K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用基于第一性原理的密度泛函理論（DFT）贗勢平面波方法，對CrSi2的能帶結(jié)構(gòu)、態(tài)密度和光學(xué)性質(zhì)進行了理論計算，能帶結(jié)構(gòu)計算表明CrSi2屬于一種間接帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度為0.353eV；其能態(tài)密度主要由Cr的3d層電子和Si的3p層電子的能態(tài)密度決定；計算了CrSi2的介電函數(shù)、反射率、折射率及吸收系數(shù)等。經(jīng)比較，計算結(jié)果與已有的實驗數(shù)據(jù)符合較好。

作者：

周士蕓，謝泉，閆萬珺，陳茜

上傳時間：

2008-09-08 14:28:54

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相關(guān)評論 共有3人發(fā)表評論

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lidan0123 2010-01-10 10:54:08

頂一下，呵呵

plxxy 2009-05-24 14:47:24

先頂一下再看

hahaxinxin 2009-03-03 15:13:07

好很到位

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