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CeO2 摻雜氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與顯微組織的研究

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關(guān)鍵詞：

氧化鋅壓敏閥片 CeO2 壓敏電位梯度顯微組織

資料大小：

266K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡(jiǎn)介：

采用添加微量CeO2的方法，提高氧化鋅壓敏閥片的電位梯度，使之具有優(yōu)良的綜合性能。同時(shí)研究了微量CeO2添加劑對(duì)氧化鋅壓敏電阻片的壓敏電位梯度的影響，并通過(guò)SEM測(cè)試手段對(duì)其微觀組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析研究，從理論上探討了CeO2影響氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與組織的機(jī)理。研究結(jié)果表明，在0～0.06%(摩爾分?jǐn)?shù))成分范圍內(nèi)，隨著CeO2含量的增加，氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度明顯提高；當(dāng)CeO2含量超過(guò)0.06%（摩爾分?jǐn)?shù)）時(shí)，隨其含量的增加，氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度又呈降低趨勢(shì)。其原因是CeO2加入到氧化鋅壓敏閥片中，以原相形式獨(dú)立存在的CeO2相釘扎在晶界，阻礙晶界運(yùn)動(dòng)，抑制了ZnO晶粒的生長(zhǎng)；另一方面，CeO2添加劑在陶瓷燒結(jié)過(guò)程中使ZnO晶體的自由電子濃度增大，填隙鋅離子Zni的總濃度下降，因而填隙鋅離子的傳質(zhì)能力下降，抑制了ZnO晶粒的生長(zhǎng)，因而晶粒尺寸隨CeO2的添加而下降，壓敏電位梯度顯著提高。

作者：

嚴(yán)群，馮慶芬，黃慶，蘇華，謝顯蛟，涂銘旌

上傳時(shí)間：

2008-09-05 13:09:18

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