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南工李公強教授與南科大Aung Ko Ko Kyaw教授合作:二噻吩并苯并二噻吩基共軛聚合物鈍化缺陷提高鈣鈦礦太陽能電池性能
2019-04-08  來源:中國聚合物網

  在短短的十年間,鈣鈦礦太陽能電池效率增長迅速,目前認證的最高效率為23.7%,與單晶硅太陽能電池相當。溶液法制備鈣鈦礦薄膜是目前最常用的方法,但該方法不可避免地形成多晶結構,從而在表面和晶界處引入大量的缺陷。缺陷態能捕獲光生載流子,從而限制載流子的垂直擴散和減小載流子壽命,此外還引起離子的遷移與擴散,嚴重影響了鈣鈦礦太陽能電池的效率和穩定性。通過反溶劑技術引入鈍化劑,包括絕緣薄膜和導電聚合物,是修復表面和晶界缺陷的有效方法。其中p共軛聚合物被證實有利于形成高質量鈣鈦礦薄膜,并能與鈣鈦礦反應鈍化缺陷。然而,導電聚合物的鈍化機理仍需深入研究,且應積極開發潛在的高效p共軛聚合物鈍化劑。

  近期,南京工業大學李公強教授課題組與南方科技大學電子系Aung Ko Ko Kyaw教授課題組合作,利用寬帶隙二噻吩并苯并二噻吩基p共軛聚合物PDTBDT-FBT作為鈍化劑,通過反溶劑技術鈍化鈣鈦礦晶體缺陷。PDTBDT-FBT具有較深的HOMO能級(-5.51 eV),有利于空穴從鈣鈦礦層快速轉移至空穴傳輸層。此外,PDTBDT-FBT中的5,6-二氟苯并[c][1,2,5]噻二唑(FBT)部分能與Pb2+離子配位,有效鈍化缺陷、提高電荷傳輸特性。

  形貌結構及光學表征表明聚合物能錨定在鈣鈦礦薄膜的表面和晶界,并通過形成Pb-F鍵而有效修復缺陷,從而減少缺陷態密度和提高空穴轉移速率。SCLC結果顯示鈍化后鈣鈦礦薄膜的缺陷態密度從1.91×1016 cm-3降低至1.45×1016 cm-3,空穴遷移率從7.67×10-3 cm2 V-1 s-1提高至9.75×10-3 cm2 V-1 s-1。此外,瞬態熒光光譜顯示鈍化后鈣鈦礦薄膜與Spiro-OMeTAD的復合結構具有更高的熒光淬滅效率,表明空穴在鈣鈦礦層與空穴傳輸層間快速轉移,從而提高電池性能。另外,表面和晶界缺陷的鈍化能有效封鎖水分擴散通道,減緩水分對鈣鈦礦薄膜的分解作用。最終獲得最高光電轉化效率為18.03%,且在相對濕度為60%空氣下存放1000小時,仍能保持初始效率90%。

  相關結果發表在 Solar RRL (DOI: 10.1002/solr.201900029)上。

  論文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/solr.201900029

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(責任編輯:xu)
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