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    最近，中科院近代物理研究所材料研究二組的科研人員利用重離子徑跡模板和電化學沉積技術，成功實現了銅納米線晶體學特征的調控。相關結果發表在Nanotechnology 21(2010)365605上，并得到了審稿人的高度評價。文章發表后立即引起了英國物理學會社區網站nanotechweb.org的關注，并在第一時間以Copper nanowires tuned using ion track templates and electrochemical deposition為題對該研究成果進行了報道。

    材料科學的特點之一，就是通過控制材料的結構特征而獲得所需的功能響應，納米材料研究也不例外。實現納米材料的物理結構可控制備不但對基礎研究至關重要，而且還可為納米材料的實際應用奠定基礎。金屬納米線是一種橫向尺寸處于納米尺度的導線。由于具有優異的電、光、磁與熱學性能，金屬納米線在微納電子器件、光電子器件、催化與傳感器等領域具有誘人的應用前景。多年來，盡管國際上已發明了多種制備金屬納米線的物理化學方法，但是實現納米線物理結構的控制依然具有挑戰性。

    為了制備金屬納米線，近物所科研人員首先利用高能重離子加速器加速的高能重離子轟擊模板材料形成納米尺度的重離子潛徑跡，并對這些潛徑跡進行化學蝕刻使其轉變成納米孔道，最后利用電化學沉積技術將不同金屬材料填充到納米孔道里形成納米線。銅納米線的研究結果表明，較低的沉積電壓和較高的溫度可形成單晶納米線，而相反的條件則可獲得多晶銅納米線，通過綜合控制電解液成份、沉積溫度和電壓等制備條件，分別可獲得沿[111]、[100]或[110]方向晶體學擇優取向的納米線。對于多晶納米線，在實驗上驗證了理論預測的多晶納米銅的新奇力學性質：Anti-Hall-Petch效應。這些發現表明，重離子徑跡結合電化學沉積技術是一種可控制備金屬納米線的高度靈活的方法，并可實現更多材料如金、銀、鉑、鈷等納米線的結構調控，進而獲得所需的物理化學性質。

    本世紀初以來，近物所材料研究二組一直致力于發展基于重離子徑跡的納米材料可控制備與物理性質研究。利用重離子徑跡模板結合電化學沉積技術，先后成功制備了金、銀、銅、鈀、鈷、硫化鎘、聚吡咯等金屬、半導體和聚合物納米線，并研究了其電學、磁學、光學、力學和化學性質。通過與德國GSI亥姆霍茲重離子研究中心材料組合作，首次在重離子徑跡模板中可控合成了金納米線，并利用掃描隧道顯微鏡發現了多晶金納米線也具有類似于多晶納米銅的Anti-Hall-Petch效應，發表在Nanotechnology 17(2006)1922上的研究結果得到了國際同行的認可，論文引用已達40余次。

    另外，合作團隊還在國際上首次系統研究了金、銀、銅、鈀、鉑和鈷納米線陣列的表面等離子體共振特性。研究結果發現，這些金屬納米線陣列不僅支持表面等離子體共振，而且通過納米線直徑和長度、形狀、面密度和入射光角度等參數在很寬的光譜范圍內對其實現調控。相關研究結果顯示，金屬納米線也許可應用于表面增強光譜學、納米光學路由器、太陽能電池等應用領域，為拓展金屬納米線的應用范圍起到了推進作用。部分研究成果已發表在Journal of Physical Chemistry C 113(2009)13583上。

    上述研究得到了中國科學院“西部之光”人才培養計劃、國家自然科學基金、甘肅省自然科學基金和近物所所長基金資助。