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MOCVD制備定向生長ZnO壓電薄膜  
MOCVD制備定向生長ZnO壓電薄膜
資料類型: PDF文件
關鍵詞: ZnO薄膜  MOCVD  定向生長  壓電雙晶片  
資料大小: 147K
所屬學科: 分子表征
來源: 2004年第五屆中國功能材料及其應用學術會議(9.12-9.16,北京.秦皇島)
簡介:
采用大氣開放式金屬有機化合物化學氣相沉積(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黃銅基片上制備ZnO薄膜。薄膜的SEM、XRD結果表明ZnO沿C軸取向垂直生長在基片上。綜合分析ZnO自身晶體生長習性,提出了ZnO薄膜在普通多晶銅表面的生長模型。并將ZnO薄膜制備成壓電雙晶片元件,在光學顯微鏡下能觀察到元件尖端產生了很大的位移量,結果表明高定向性ZnO薄膜具有優異的壓電特性。該壓電器件使得傳統的小變形雙晶片元件的數學模型失效,有必要建立新型大變形雙晶片物理、數學模型。
作者: 林煌 袁洪濤 童強 張陽 張躍
上傳時間: 2007-07-12 16:31:00
下載次數: 616
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