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MOCVD方法制備In2O3薄膜的性質研究

資料類型：

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關鍵詞：

MOCVD In2O3薄膜結構性質光電性質

資料大小：

349K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

用金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)方法以三甲基銦為源材料，以O2為氧化氣體，在藍寶石襯底(0001)面上生長出了高質量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的結構、表面形貌和光電性質。結果表明制備樣品具有In2O3體心立方結構和(222)方向擇優取向生長，電阻率～6.4010-3Ωcm，在可見光區域的平均透過率達到了90%以上。

作者：

楊帆，馬瑾，馮先進，孔令沂，張凱

上傳時間：

2008-09-09 17:16:23

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